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深亚微米工艺下SoC多点温度低功耗测试调度方法 被引量:2
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作者 焦铬 范双南 《电子测量技术》 2015年第7期67-70,共4页
在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取... 在深亚微米技术实现的片上系统中,为了解决由于制程变异引起的温度不确定性,提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器,通过内建的温度传感器来感应温度,在SoC的核心部位进行多点采集,取温度的最高值反馈到控制系统,进行温度的调节控制。在测试过程中,在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度,避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明,与文献[2]比较,该方法在保证芯片热安全的同时,使CPU使用时间平均多减少10.33%,使测试应用时间平均多减少11.14%。 展开更多
关键词 深亚微米工艺 多点温度 片上系统 低功耗测试调度
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