低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究

研究了在 LPLV CMOS工艺中 ,用表面沟 PMOS管工艺使 NMOS管的阈值电压发生偏移的问题。在使用表面沟 PMOS管的 LPLV CMOS工艺中 ,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布 ,导致阈值电压发生偏移。文章提出了三个解决方案 。

低压CMOS满幅度恒定增益运算放大器设计

运用负反馈控制输入共模电平,实现了电源电压仅为0.9 V的满幅度运算放大器。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺参数HSPICE模拟结果显示,在满幅度共模电平下,运放的平均直流电压增益为66.4 dB(10 pF电容负载),增益波动仅为0.01%,平均单位增益带宽为1.88 MHz,平均相位裕度52°,平均静态功耗仅为135μW。

一种适用于UHF频段无源RFID应用的低功耗电源恢复和OOK解调技术

本文提出一种与普通CMOS工艺兼容的、适用于UHF频段无源RFID应用的低功耗电源恢复电路和一种新型OOK解调技术。该解调技术具有结构简单、功耗低、易于集成、适应大动态范围等特点。芯片采用0.18μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明在电源电路负载为510kΩ时,恢复出的芯片电源电压为1.6V^2.0V;在发射功率为4W EIRP的条件下,可以在3.7m的距离下正常工作。

一种低功耗晶振电路的设计

文章提出一种适于片内集成的低功耗CMOS晶体振荡电路,使得电路的平均工作电流从几μA下降到1μA。仿真表明在正常情况下,电路的平均工作电流小于1μA。

异步电路的低功耗状态机AFSM的设计与实现

基于CMOS低功耗门控技术,设计了一种应用于ASIC中的异步状态机(AFSM).关键是将原始的同步状态机分解为若干个能够相互通信的子状态机,提高子状态机的自循环率,进而通过异步控制子状态机,达到降低功耗的目的.将该思想应用于VLSI设计实例,证明了采用这种异步状态机设计能够有效节省片上系统(SoC)的功耗最高达25%以上,并且不会过多地增加芯片面积.

单片机应用的广阔前景

单片机发展极为迅速,当前世界上各大芯片制造公司都推出了自己的单片机,从8位、16位到32位等,但它们各具特色,互成互补,为单片机的应用提供广阔的天地。