VDMOS单粒子效应简化电路模型研究

通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。

总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。

星用功率VDMOS器件SEGR效应研究

对源漏击穿电压为400 V和500 V的N沟功率VDMOS器件进行碘离子单粒子辐照实验,讨论了不同偏置下两种功率器件的SEGR效应。研究结果显示:栅源电压为0 V、漏源电压为击穿电压时,器件未发生单粒子效应,表明两种星用功率器件的抗单粒子效应能力达到技术指标要求。

新型高频VDMOS功率器件的研究

作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。

评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型

构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。

高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究

对500-1200V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究。通过选择钝化膜介质（SiON）工艺条件，选择合适的光刻条件，使该器件的表面极化低于50V，大大增强了器件在高压工作环境下的可靠性。

功率VDMOS器件的SEB致SEGR效应研究

功率VDMOS器件是航天器电源系统配套的核心元器件之一,在重粒子辐射下会发生单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应,严重影响航天器的在轨安全运行。本文在深入分析其单粒子损伤机制及微观过程的基础上,发现了功率VDMOS器件在重粒子辐射下存在SEBIGR效应,并在TCAD软件和^181Ta粒子辐射试验中进行了验证。引起该效应的物理机制是,重粒子触发寄生三极管,产生瞬时大电流,使得硅晶格温度升高,高温引起栅介质层本征击穿电压降低,继而触发SEGR效应。SEBIGR效应的发现为深入分析功率MOSFET器件的单粒子辐射效应奠定了理论基础。

VDMOS功率器件用硅外延片

1、产品及其简介 1973年美国IR公司推出VDMOS结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞，故要求线条细，光刻精度高。所以对外延片的电阻率均匀性要求高，对外延片表面的平整度和颗粒度要求也高，我公司的产品是为了功率VDMOS管专门研制开发的。

功率VDMOS器件热阻测试

功率VDMOS器件的热阻,是衡量输入功率与工作环境热特性的重要参数,在器件研制和系统设计中占有重要地位。从器件的热模型出发,给出了热阻的测试方法。针对二极管正向压降测试所需要的温度系数,分析了数据处理方法,给出提高温度系数计算精度的途径。结合热电偶测量原理,给出了提高热电偶测量精度的方法。所涉及的热阻测量方法,能够为热阻的高精度测量提供基础。

浙大微电子500V／18A、200V／40A高压功率VDMOS器件研发成功

经过近两年的努力，在广东省政府企业技术改造项目的资助下、在广东粤晶高科有限公司和华越微电子有限公司的协助下，浙大微电子目前成功研发了广泛应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、汽车电器、PDP等整机产品配套的500V／18A高压功率VDMOS器件，并且拥有自主知识产权。

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．

一种新型VDMOS器件结构的设计与实现

垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点。提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通过减少一层终端层版图的光刻,将终端结构与有源区结构结合在一张光刻版上,并在终端工艺中设计了一种改善终端耐压的钝化结构,通过使用聚酰亚胺光刻胶(PI)钝化工艺代替传统的氮化硅钝化层。测试结果表明产品满足设计要求,以期为其他规格的芯片设计提供一种新的设计思路。

高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究

利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件以及L-Edit版图设计工具,我们对一款高压VDMOS功率器件进行了模拟仿真和优化设计。利用自主开发的VDMOS工艺流程完成了器件的实际流片。测试结果表明,器件的源漏击穿电压达到600 V以上,导通电阻小于2.5,跨导为4 S,栅-源泄漏电流约为±100 nA,零栅电压时的漏-源泄漏电流约为10μA,二极管正向压降约为1.2 V。采用二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行了分析,并通过对所研制的器件样片采用钴-60γ射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。

功率器件变革创新 英飞凌高调发布OptiMOS 3系列低压MOSFET

环境污染、温室效应、不可再生能源日趋枯竭……这些日益威胁人类生存的难题已经使全球有识之士认识到节能减排提高能效是未来科学技术活动一项长期的任务。如何应对这项挑战？各个半导体纷纷从半导体器件入手，帮助系统公司提升电源效率，这方面，英飞凌近年来动作频频，

优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。

音响用低压大电流器件功率容量研究

本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法 。

投资约52.93亿元!中车时代电气中低压功率器件产业化建设项目落地株洲

10月2日,株洲市政府与株洲中车时代半导体签署合作协议,中低压功率器件产业化(株洲)建设项目落地。时代电气9月23日的对外投资公告显示,时代电气控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(下称“中车时代半导体”)拟投资中低压功率器件产业化建设项目,投资总额约人民币111.19亿元。