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低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究 被引量:1
1
作者 谭刚 吴嘉丽 李仁锋 《新技术新工艺》 2006年第11期34-35,共2页
在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了... 在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜。 展开更多
关键词 低压化学 多晶硅薄膜 速率 优化
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低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究 被引量:4
2
作者 王敬轩 商庆杰 杨志 《电子与封装》 2021年第8期94-98,共5页
微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量... 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。 展开更多
关键词 微机械加工 低压化学 低应力氮化硅 均匀性
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低压化学气相淀积多晶硅薄膜膜厚的分子动力学模拟
3
作者 谢常青 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第4期249-251,共3页
从分子动力学的观点出发,引入了吸附因子.建立了热壁低压化学气相淀积多晶硅薄膜的膜厚模型,在此基础上进行了计算机模拟。模拟结果与R.S.Rosier的实验结果相似。该模型从分子动力学的角度阐明了多晶硅薄膜的生长过程。
关键词 低压 化学 集成电路 多晶硅 薄膜膜厚
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低压化学气相淀积工艺技术
4
作者 吴嘉丽 《中国工程物理研究院科技年报》 2003年第1期296-297,共2页
低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝... 低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。 展开更多
关键词 低压化学 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
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热壁低压化学汽相淀积的安全性探讨
5
作者 程开富 《电子工业专用设备》 1989年第4期51-54,共4页
对于热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)技术,安全性是不可缺少的一个重要方面。本文就热壁LPCVD技术中常用气体的化学性质和物理方法进行说明。只要操作人员充分理解其气体在使用过程中的危险性,并采取适当措施,LPCVD技术才是安全的。
关键词 化学 低压 热壁 安全性
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基于自学习高斯过程模型的低压化学气相沉积过程空间批次最优设计(英文) 被引量:1
6
作者 孙培 谢磊 陈荣辉 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第12期1958-1964,共7页
Low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) is one of the most important processes during semiconductor manufacturing.However,the spatial distribution of internal temperature and extremely few samples makes it hard ... Low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) is one of the most important processes during semiconductor manufacturing.However,the spatial distribution of internal temperature and extremely few samples makes it hard to build a good-quality model of this batch process.Besides,due to the properties of this process,the reliability of the model must be taken into consideration when optimizing the MVs.In this work,an optimal design strategy based on the self-learning Gaussian process model(GPM) is proposed to control this kind of spatial batch process.The GPM is utilized as the internal model to predict the thicknesses of thin films on all spatial-distributed wafers using the limited data.Unlike the conventional model based design,the uncertainties of predictions provided by GPM are taken into consideration to guide the optimal design of manipulated variables so that the designing can be more prudent Besides,the GPM is also actively enhanced using as little data as possible based on the predictive uncertainties.The effectiveness of the proposed strategy is successfully demonstrated in an LPCVD process. 展开更多
关键词 CVD工艺 优化设计 过程模型 空间分布 自学习 高斯 低压化学 流量预测
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低压下用CO+H_2气体制备人造金刚石的相图计算 被引量:7
7
作者 张卫 万永中 王季陶 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期331-335,共5页
用非平衡热力学耦合模型计算了低压下由CO+H2气体制备人造金刚石的相图.这些相图与经典的平衡热力学理论计算的相图不同,都有一个金刚石生长区.金刚石生长区的存在是实现用CO+H2气体制备人造金刚石的热力学基础.本文认为相图中的... 用非平衡热力学耦合模型计算了低压下由CO+H2气体制备人造金刚石的相图.这些相图与经典的平衡热力学理论计算的相图不同,都有一个金刚石生长区.金刚石生长区的存在是实现用CO+H2气体制备人造金刚石的热力学基础.本文认为相图中的金刚石生长区是体系中超平衡氢原子和超平衡氧原子对金刚石相和石墨相不同作用的结果.不同压力下相图中金刚石生长区的范围稍有不同,压力降低时,金刚石生长区将向低CO浓度的方向移动.本文还将计算的结果与报道的实验结果进行了对比分析,两者基本相符. 展开更多
关键词 化学 低压 人造金刚石 氧化碳
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人造金刚石低压气相生长的热力学研究 被引量:2
8
作者 张卫 万永中 王季陶 《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》 1997年第2期170-174,共5页
用非平衡热力学耦合模型研究金刚石在CH_4/H_2和C_2H_2/O_2气相体系中的生长,计算了不同压力下这两种体系生长金刚石的相图。与用经典的平衡热力学理论计算的相图不同,得到的相图都有金刚石生长区。该生长区的存在是体系中超平衡氢原子... 用非平衡热力学耦合模型研究金刚石在CH_4/H_2和C_2H_2/O_2气相体系中的生长,计算了不同压力下这两种体系生长金刚石的相图。与用经典的平衡热力学理论计算的相图不同,得到的相图都有金刚石生长区。该生长区的存在是体系中超平衡氢原子或超平衡氧原子对金刚石生长过程作用结果。利用本文的相图可从很好地解释低压下金刚石在CH_4/H_2和C_2H_2/O_2气体中的生长。另外,从理论上得到的金刚石生长区与报道的实验结果基本相符,因而可用于指导金刚石气相生长的实验研究。 展开更多
关键词 化学 低压 生长 人造金刚石 热力学
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LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析 被引量:2
9
作者 范子雨 索开南 《电子工业专用设备》 2019年第6期9-12,共4页
通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多方面的分析,总结出工艺条件与SiO2薄膜淀积速率、片内和片间均... 通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多方面的分析,总结出工艺条件与SiO2薄膜淀积速率、片内和片间均匀性以及批量生产成本的关系,得出了最佳工艺路线,实现批次化生产中既能保证工艺的稳定,又最大化地降低生产成本。并通过调整工艺和加强设备维修保养等手段解决了LPCVD法生长SiO2薄膜后的抛光片容易产生颗粒的问题,使硅抛光片实现了开盒即用。 展开更多
关键词 低压化学 薄膜 正硅酸乙酯源
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4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术 被引量:1
10
作者 付兴昌 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期280-283,共4页
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用... 采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5 dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势。 展开更多
关键词 碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学 S波段
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LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
11
作者 廖乃镘 赵志国 +3 位作者 阙蔺兰 向华兵 李贝 李仁豪 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第1期63-65,70,共4页
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属... 采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。 展开更多
关键词 铁离子沾污 氮化硅 低压化学 表面光电压
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掺硼金刚石薄膜电极的制备及电化学特性 被引量:3
12
作者 王帅 檀柏梅 +2 位作者 高宝红 张男男 安卫静 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期378-381,共4页
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特... 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特性。结果表明,当丙酮体积分数为1.5%时,金刚石薄膜表现出优异的附着力,并且BDD电极具有稳定的电化学特性。采用制备的BDD电极,在不同浓度的KCl和KH2PO4电解液中使用,得出电势窗口均在3.4 V以上。 展开更多
关键词 掺硼金钢石(BDD)薄膜电极 热丝化学(HFCVD) 循环伏安(CV) 丙酮体分数 化学窗口
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面向VCSEL的Al_(0.98)Ga_(0.02)As薄膜湿法氧化的研究 被引量:2
13
作者 林涛 张天杰 +6 位作者 李晶晶 郭恩民 宁少欢 段玉鹏 林楠 祁琼 马骁宇 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期266-272,共7页
为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化,由表面形貌及断面结构来确定氧化程度。研究发现,氧化时间较短时,Al_... 为了系统研究VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理,设计了专门的材料结构并采用MOCVD技术进行外延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化,由表面形貌及断面结构来确定氧化程度。研究发现,氧化时间较短时,Al_(0.98)Ga_(0.02)As层的横向氧化深度随氧化时间呈线性变化;随着氧化时间增加,横向氧化深度与氧化时间呈抛物线变化,并渐趋于饱和。此外实验中发现Al_(0.98)Ga_(0.02)As层的湿法氧化速度可比Al_(0.9)Ga_(0.1)As层高一个数量级,且Al_(0.9)Ga_(0.1)As层的湿法氧化速度随其层厚增加而增大。最后根据修正的一维Deal-Grove氧化模型计算了受限空间内Al_(0.98)Ga_(0.02)As层横向氧化深度随氧化时间的变化关系。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 湿氧化 砷化铝镓 金属有机化学
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多晶硅薄膜制备方法与压阻特性的研究 被引量:1
14
作者 刘晓为 宋明浩 +2 位作者 王喜莲 潘慧艳 揣容岩 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2007年第4期18-20,共3页
对磁控溅射和低压化学气相淀积(LPCVD)2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了研究,并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的影响。实验表明:LPCVD薄膜稳定性、重复性较好,应变系数可达到20以上;磁控溅射薄膜经适当结晶化工艺... 对磁控溅射和低压化学气相淀积(LPCVD)2种方法制备的多晶硅薄膜的电学和压阻特性进行了研究,并讨论了结晶化工艺对磁控溅射薄膜性质的影响。实验表明:LPCVD薄膜稳定性、重复性较好,应变系数可达到20以上;磁控溅射薄膜经适当结晶化工艺处理具有纳晶硅的结构特征,应变系数可达到80以上。利用扫描电镜(SEM)图片结合电阻率和应变系数的测试结果,讨论了2种方法制备出的多晶硅薄膜应用于压阻式力学量传感器的可行性。 展开更多
关键词 磁控溅射 低压化学 多晶硅薄膜 应变系数 压阻特性
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LPCVD设备维护保养的重要性分析
15
作者 董军恒 高丹 《天津科技》 2018年第6期76-78,共3页
LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行... LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。 展开更多
关键词 低压化学气相淀积法设备 速率 均匀性 真空度
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SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
16
作者 熊小义 刘志农 +6 位作者 张伟 付玉霞 黄文韬 刘志弘 陈长春 窦维治 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期15-16,41,共3页
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
关键词 SIGE HBT 制造工艺 湿腐蚀 异质结双极晶体管 超高真空低压化学 硅锗
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采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较 被引量:1
17
作者 张故万 宋爱民 +3 位作者 雷仁方 高燕 罗春林 伍明娟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期408-410,共3页
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备S... 采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。 展开更多
关键词 低压化学 Si3N4薄膜 硅烷 二氯二氢硅
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Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展 被引量:1
18
作者 刘少林 邹兆一 +2 位作者 庞春霖 付国柱 邱法斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期483-490,共8页
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速... 目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。 展开更多
关键词 硅薄膜 薄膜晶体管 化学
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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
19
作者 严飞 郑有炓 +5 位作者 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第11期65-66,11,共3页
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X... 研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。 展开更多
关键词 SI(111)衬底 3C-SIC 低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学 半导体材料
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单管卧式热壁型PECVD设备
20
作者 钟华 郑建宇 《电子工业专用设备》 2004年第4期23-25,50,共4页
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。
关键词 氮化硅薄膜 等离子增强化学 工艺原理 单管卧式热壁型PECVD设备 射频
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