制备WO_3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究

在电子束蒸发镀膜的基础上 ,引入低压反应离子镀工艺制备WO3 电致变色薄膜 ,研究不同氧分压对WO3 薄膜电致变色特性的影响 ,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为 2× 10 -2 Pa,氧分压为 4× 10 -2 Pa时 ,薄膜具有最好的电致变色特性和最大的变色范围。进而采用低压反应离子镀工艺成功地实现在塑料基板上制备WO3 薄膜 ,并对其电致变色特性进行了研究。同时对比了采用普通电子束蒸发镀膜制备的WO3 薄膜的电致变色特性。

低压反应离子镀的物理过程

通过观察和分析 ,指出低压反应离子镀中材料经过了蒸发、电离、飞行、加速和沉积五个阶段 ,定性解释了对能谱和质谱的测量结果 ,比较全面、细致地描绘了低压反应离子镀的物理图像。

低压反应离子镀等离子源的研制

自行研制了一台用于低压反应离子镀的以硼化镧 ( La B6)材料作阴极发射体的等离子源。介绍了该设备的工作原理 ,给出了设计参数的选择依据和具体结构形式 ,测量了放电电流与阴极加热功率、偏置电压、气体流量、励磁线圈电流的关系。

低压反应离子镀制备Ge_(1-x)C_x薄膜的硬度研究

应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在G e基底上沉积了G e1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s^0.9nm/s之间变化,G e1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa^11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,G e1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa。XRD测试结果表明,沉积的G e1-xCx薄膜均为无定形结构。对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的G e1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能。

低压反应离子镀氧化钨电致变色薄膜

介绍了低压反应离子镀沉积氧化钨电致变色薄膜，并从微观特性。

硝酸装置低压反应水冷器的腐蚀及改进措施

介绍了双加压法硝酸装置中的主要设备低压反应水冷器的工况及其特性,分析了该设备由于温差应力腐蚀、高温冷凝稀酸冲刷和Cl-聚集发生应力腐蚀等各种腐蚀破坏,最终导致产生换热管和管板的腐蚀泄漏现象。同时还存在检修维护成本过高的问题。针对行业内普遍存在的问题,提出了保证冷却水质量、优化设备结构、采用内孔焊等先进制造工艺和改变设备布置形式等一系列优化改进措施,有效地解决了目前低压反应水冷器存在的腐蚀问题,延长使用寿命。通过改造能大幅度提高生产装置的生产效率,保证了产品的质量和产量,预计设备使用寿命能从以前的2 a提高到4 a以上,同时降低了设备检修维护成本,是值得行业内推广应用的优化改造措施。

硝酸装置低压反应水冷器的腐蚀分析及防护对策

介绍了双加压法硝酸装置低压反应水冷器的工况及特性,分析其腐蚀原因和机理。提出了采用内孔焊和加装沸腾酸液过滤装置等防护措施,经实施取得了较好的效果:减少了非计划停车,预计低压反应水冷器使用寿命由4年延长至8年,成品酸平均质量分数由63.87%提高至64.02%,年增产硝酸1 532 t(折纯)。

双加压硝酸装置中低压反应水冷凝器泄漏及改进

介绍了双加压硝酸装置中低压反应水冷凝器的作用和特性,通过对低压反应水冷凝器运行状况和泄漏现象分析,认为该设备发生腐蚀泄漏的主要原因是氯离子聚集的应力腐蚀,并提出了改进的建议:采用内孔焊接工艺、改变换热器结构、控制相关的工艺指标等。

用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征

以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp^3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8～11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。

低压反应离子镀新工艺及其设备

采用低压反应离子镀沉积技术，制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３膜，其折射率分别为２５５、１４９（５５０ｎｍ）和１６７（１１００ｎｍ），比传统的电子束蒸发好得多。用此方法，在ＣＲ３９基片每面沉积４层ＴｉＯ２／ＳｉＯ２抗反薄膜，剩余反射率≤０５％。

低压反应水冷凝器管板腐蚀原因分析

对两台低压反应水冷凝器管板的腐蚀原因进行了分析,通过现场检查、金相检查、扫描电镜、X—ray衍射分析等手段进行检验,确认腐蚀原因是硫酸的露点腐蚀。

低压反应水冷器的内孔焊及返修

低压反应水冷器的一端换热管与管板的连接设计为内孔焊结构,焊接难度大,返修困难。管板和换热管的加工和装配精度、焊接工艺参数、保护和检验手段、返修措施等是保证内孔焊质量的关键。

用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究

用低压反应离子镀（RLVIP）的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0．05-0．4nm／s之间的变化，其折射率在2．31～3．42之间可变。实验结果表明，镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构，并实现了从2000-8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0．1nm／s时，单面平均透过率从68．6％提高到了80．9％，比单面未镀膜时提高了17．9％。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明，制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。

低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜

溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。

内孔焊技术在低压反应水冷器(换热器)制造中的应用

在换热器制造中,管与管板的焊接质量决定了换热器本身的质量优劣和使用寿命,而管与管板焊接质量的好坏主要取决于管与管板的接头形式。内孔焊焊接就是为改善端面焊接的缺点而采用的较为先进的工艺方法,是一个全焊透结构。用内孔焊结构代替传统的管与管板角焊缝结构,是提高换热管与管板连接焊缝抗腐蚀能力和间隙腐蚀能力的根本途径。本文结合实践中的经验,阐述了内孔焊的接头形式、工艺顺序、焊接工艺参数及焊接过程中注意的问题等。

膜生物反应器-超低压纳滤组合工艺处理城镇污水

针对再生水的高品质化和污泥的减量化问题,构建一套膜生物反应器-超低压纳滤组合工艺(MBR-DF)中试装置,以零排泥的方式运行处理城镇污水,同时建立一套传统活性污泥处理工艺(CAS),进水COD及NH_4^+-N、TN、TP浓度分别为87.0~165.7、14.0~31.0、14.2~32.4和2.5~3.3 mgL。结果表明:浓水零排放MBR-DF系统对COD、NH_4^+-N和PO_4^(3-)具有较好的去除效果,去除率分别为95.7%、99.0%和68.5%。总溶解固体(TDS)和HCO_3^-的去除率分别为13.5%和31.1%,并能有效地降低出水总硬度。DF膜对PO_4^(3-)和SO_4^(2-)具有明显的截留作用,对NO_3^-截留效果较差,对HCO_3^-无截留作用。进水溶解性有机物(DOM)经MBR-DF后,出水中仅剩少量的类色氨酸类物质,且MBR-DF系统对进水DOM的UV_(254)消减率达到94.9%,对DOC的去除率在98.0%以上,出水DOM的腐殖质向非腐殖质转化的程度较高。MBR-DF系统和CAS系统对17-β雌二醇(E2)的去除率分别为99.9%和70.8%,MBR-DF系统可有效降低出水回用过程中存在的健康隐患。

低压气固相固定床催化反应器优化设计系统

介绍用C ++Builder5 .0编制的低压气固相固定床催化反应器优化设计系统 (Reactor 4.0 )的功能和物热平衡联立求解方法。经多次验证 ,本系统可用于单段或多段气固相低压催化反应器的工艺参数和设备尺寸设计 。

互穿网络低压增强反应注射成型工艺

本文把互穿网络技术应用于增强反应注射成型工艺,以实现常温、低压成型,从而制得高性能玻璃钢制品。

热碱溶液对低压碳钢反应容器的应力腐蚀影响规律

为确保能源资源的有效利用和压力容器安全运行,对以热碱溶液为介质的低压碳钢反应容器定期检验,发现在低质量分数热碱溶液短暂超出温度限定值的工况中,在热碱溶液和拉伸应力共同作用下,在压力容器制造缺陷、形状突变等部位,会产生缺陷被放大和新生缺陷等情形。针对热碱溶液对低压碳钢容器的应力腐蚀影响规律进行分析,判定此类压力容器在使用过程中的损伤模式和失效模式,从而提出此类压力容器在设计、制造和使用过程中严格选材、优化焊接工艺、增加焊后热处理、避免使用温度超限等预防措施,以及在监督检验和定期检验中应加强对应力腐蚀倾向部位的重点检验。

低压加氢反应器焊接结构优化

主要介绍不锈钢复合材料设备低压加氢反应器的设备结构、技术特征和主要功能。根据设备材料、结构和焊接工艺评定要求,确定内筒体焊接、夹套筒体焊接过程的技术参数及热处理工艺要求。根据首台设备外筒体制造过程中组装、焊接困难的问题,优化设备夹套筒体、封头的连接结构以及筒体的成型结构,降低制造难度,加工质量稳定可靠,节省焊接材料,提前完成设备的生产制造任务。