基于中低压器件实现的高压负电平位移电路

提出了一种新型高压负电平位移电路。该电路只采用中低压PMOS来实现高压电平位移,与传统的高压负电平位移电路相比,降低了工艺及器件难度。分析了该新型电平位移电路的电路结构与工作原理。采用1μm CMOS工艺,通过HSPICE进行电路仿真验证,证明提出的高压负电平位移电路正确可行。

低压器件及其应用

本文在介绍了低压器件目前的发展概况之后，重点介绍了几种３伏模拟器件以及它们在数据采集系统中的应用。

医用X线机高低压元器件简易检测仪

本文介绍医用X线机高低压元器件检测的基本原理及检测方法。该检测仪利用物理原理,实现了对X线机高低压元器件的好坏判断与检测,解决了万用电表不能解决的问题。本文对X线管真空度不良、高压硅整流器的好坏检测、高压电缆芯线具体断在哪一端等,进行检测判断介绍。实践验证了该仪器的实用性、可靠性。

总线型低压开关柜如何选择断路器及相关元器件

总线型低压成套开关设备自然离不开智能化低压元器件,元器件自身的性能直接影响低压成套开关设备的性能,优选智能化低压元器件,提高低压成套开关设备整体性价比是低压成套开关设备设计的基本要求。

低压开关器件电连接紧固力矩分析

针对机车用低压开关器件现场接线时因紧固力矩不明确等原因导致接线质量难以控制的问题,文章以常用的转换开关、按钮、扳键开关为例,给出了低压开关器件电连接紧固力矩合理性的判断依据,分析了紧固力矩的特性和接线端子的受损情况,并结合相关标准提出合理的电连接紧固力矩建议值。

低压逻辑器件市场发展迅速

低压逻辑器件是指工作电压低于3.3伏的逻辑芯片,过去5年里这类产品的增长超过500%,全球市场总计达5.72亿美元,至少有10家供应商在争夺这一市场.低压逻辑器件作为后起之秀,产量已占全球逻辑器件市场份额的25%.据预测,在未来5年其市场份额将接近全球逻辑器件的50%.对低功耗、高性能产品的需求推动着逻辑器件从5伏电压型向3.3伏以下型转变.微处理器工作电压的逐步降低、对节省功率的要求以及便携/手持器件的需求剧增也推动着这些新型低压逻辑器件的发展.

音响用低压大电流器件功率容量研究

本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法 。

DS2120低压差分器件在SCSI应用环境中的优势

选择SCSI(小型计算机系统接口)收发器时,无论是单端(SE)还是差分(HVD或LVD)器件,都要确定传输数据速率、电缆长度以及主控制器能够支持的最大器件数.

低压元器件CCC认证有效性分析及提升策略

低压元器件应用范围广泛,对整机安全运行起到非常重要的保护作用,其可靠性和安全性极其重要,是国家及地方各级质检及市场监督管理部门重点抽查的产品,本文分析了低压元器件常见国抽的问题和原因,提出了认证机构对国抽等外部抽查不合格信息后续处理措施的建议。

低压共源共栅电流镜的偏置电路

低压共源共栅电流镜由于大的输出阻抗、稳定的输出电流和较大的输出电压摆幅而广泛应用于模拟集成电路中,但是它需要额外的偏置电路来保证晶体管工作在饱和区。主流的偏置电路有三种结构:双输入型、倒宽长比型和自偏置型。详细分析每一种偏置电路的工作原理,给出电路设计要点及规则,并基于0.5μm BCD工艺和Spectre软件对它们进行输出特性、电源特性和温度特性仿真。仿真结果显示:双输入型和倒宽长比型结果基本一致;自偏置型虽需要更高的电源电压但更适用于低功耗电路。

基于0.5μm CMOS工艺的高压器件(英文)

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V0.5μmn-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23 -25V,p管击穿BVdssp〉19V.

用虚拟制造设计低压功率VDMOS

采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构。通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能。

一个LVTSCR并联PMOS的高维持电压ESD防护器件(英文)

为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作前释放ESD电流。器件仿真结果显示,与LVTSCR相比,该器件获得了更高的维持电压(10.51 V),以及更高的开启速度(1.05×10-10 s),同时触发电压仅仅从12.45 V增加到15.35 V。并且,如果加入的PMOS结构选择与NMOS相同的沟道长度,器件不会引起热失效问题。

基于0.5μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究

将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V～25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。

低压电器产品常见的湿热试验

介绍低压电器产品常见的湿热试验和相应试验参数,从而认识低压电器元器件和低压成套设备两大类产品湿热试验项目通常考核目的和意义,对低压电器实际检测的了解有更进一步的帮助。

电平变换器SN74CBT×3384的特性及应用

降低电源电压可以大大减小器件的动态功耗，因此近年来电子系统中大量应用３．３－Ｖ器件。在某些情况下，必须进行电平转换，才能与５－Ｖ器件联合使用。本文详细论述了电平转换器ＳＮ７４ＣＢＴ×３３８４的组成原理及特性，并根据不同器件的电平转换标准，具体讨论了５－Ｖ器件与３．３－Ｖ器件之间的各种电平转换方法。

线性光偶HCNR200/201的原理与电路设计

在电气测量、测试以及控制中,常常需要对高电压、强电流等模拟量进行采集。如果模拟量（高压、强电流）与数字量之间没有电气隔离,那么,高电压、强电流很容易串入低压器件,影响正常工作．并有可能烧毁器件,因而必须对两种信号进行隔离。光隔离是一种很常用的信号隔离形式,常用光耦器件及其外围电路组成。但是,一般的光偶器件都是面向数字信号的,

浅析高海拔地区电源系统设计的特殊性

文中分析了高原地区环境条件对电源系统性能的影响,其重点是元器件及电源设备的降容,并提出了高原地区的电源系统设计应注意的问题。