一种低压高精度CMOS带隙基准

设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃～+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。

一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计

本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源。该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃。

一种低压CMOS LDO稳压电源电路

提出了一种低压CMOS LDO稳压电源电路。与常规CMOS LDO稳压电源电路相比,该电路有两个主要特点:引入了低压带隙基准电路;将带隙基准电路置于串联稳压管后端。通过上述设计,提出的稳压电源电路能在输出电压较低的情况下提供较稳定的输出,同时也能提供稳定的偏置电压及具有较高PSRR的基准输出。对电路进行了仿真,并给出了仿真结果。

一种具有过温和短路保护的低压LDO设计

在分析各种低压LDO结构的基础上,设计了一款新型的基于0.18μm CMOS工艺的LDO低压降线性电压调整器。该LDO电路采用了折叠低压带隙和折叠共源共栅结构的运放,采用密勒补偿以保证整体LDO的稳定性。具有很低的输入/输出电压差、超低的静态电流,良好的负载调整能力、线性调整能力和良好的电源抑制特性,此外,还具有过温保护和短路保护电路,保证电路的安全工作。该电路配以简单外部设备即可为各种电子产品提供灵活、高效、可靠的电源解决方案,大大降低了设计成本。

低压CMOS LDO稳压电源电路设计

此次研究提出了低压CMOS LDO稳压电路电流优化设计流程,现有稳压电源电路与传统的CMOS LDO稳压电流电路相比较而言,低压CMOS LDO引入了低压带隙基准电路。确保在分解该稳压电源电路的设计过程中,构建完整的电源电路设计框架,在完成低压带隙基准电路分析之后,提出优化设计方案。通过具体的电路仿真,得出仿真优化结果。