深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法

详述了目前用于深亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电（ＥＳＤ）保护方法，比较了它们各自的特点，并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅（ＰＴＬＳＣＲ／ＮＴＬＳＣＲ）ＥＳＤ保护电路的工作原理。

一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计

设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低压CMOS工艺,可耐受高达12V的供电电压输入。该模块可用于高度集成的电源管理芯片,使之能适用于多种电源,并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响。

Diodes扩充通用低压CMOS逻辑系列

Diodes公司（Diodes Incorporated）继续扩展其标准逻辑产品线，为四大系列的高速CMOS器件带来更多封装选择。这些4路及6路配置的HC、HCT、AHC与AHCT系列逻辑器件采用S014和TSSOP14封装，提供十项最常用的逻辑功能。这些器件广泛适用于计算、消费性电子产品、家用电器、建筑控制和工业自动化应用。

NS推出高电流CMOS低压降芯片

美国国家半导体(National Semiconductor Corporation，NS)宣布推出一系列专为低电压、高电流应用方案而设计的全新低噪音CMOS低压降(LDO)开关稳压器。

低压工作的轨到轨输入/输出缓冲级放大器

本文提出了一种低压工作的轨到轨输入/输出缓冲级放大器。利用电阻产生的输入共模电平移动,该放大器可以在低于传统轨到轨输入级所限制的最小电压下工作,并在整个输入共模电压范围内获得恒定的输入跨导;它的输出级由电流镜驱动,实现了轨到轨电压输出,具有较强的负载驱动能力。该放大器在CSMC 0.6-μm CMOS数模混合工艺下进行了HSPICE仿真和流片测试,结果表明:当供电电压为5V,偏置电流为60μA,负载电容为10pF时,开环增益为87.7dB,功耗为579μW,单位增益带宽为3.3MHz;当该放大器作为缓冲级时,输入3VPP 10 kHz正弦信号,总谐波失真THD为53.2dB。

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。