Co2_O_3和MnCO_3掺杂对低压ZnO压敏电阻电性能的影响

概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能“三参数”(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素。用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验。发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3。对造成上述差别的原因进行了深入分析。

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及性能的影响(2)

利用传统的电子陶瓷工艺,对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系低压压敏电阻材料,研究了不同烧结温度下材料的相结构,显微组织,电性能与烧结温度的关系。结果表明,在1150～1200℃温度范围内,可通过烧结温度,调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大.

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响(3)

本文探讨了多种金属氧化物对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系材料的改性作用和对其微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的试验依据。

低压ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系材料的退火特性及显微结构(4)

研究了不同温度退火对ZnO—Bi_2O_3—TiO_2系材料相结构,显微形态及电特性的影响,得出:500℃以下退火材稳定并改善材料的电性能,超过500℃退火料的压敏电压升高,非线性特性变坏。

Bi_4Ti_3O_(12)掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

Bi4Ti3O12在低压氧化锌压敏电阻器的烧结过程中起着重要作用。通过使用扫描电子显微镜(SEM)研究了添加Bi4Ti3O12粉体的陶瓷烧结过程。结果表明,使用纳米Bi4Ti3O12粉体的压敏电阻所获得的电压梯度更低,Zn2TiO4相的形态和分布影响压敏电压的分散性。

低压ZnO压敏薄膜制备与研究

以GDARE法沉积的低压ZnO压敏薄膜为多孔性超微粒结构,沿c轴高度取向.经一定温度热处理后,薄膜具有较好的非线性V-I特性,漏电流小,压敏电压低.温度对薄膜的V-I特性影响较大.文章讨论了ZnO低压压敏薄膜的导电机理.

In_(2)O_(3)掺杂对低压ZnO压敏电阻显微结构及电气性能的影响

提出了掺杂In_(2)O_(3)对低压ZnO压敏电阻显微结构的影响及对其综合电气性能的研究。通过改变In_(2)O_(3)的用量,同时借助相关分析方法对压敏电阻的显微结构和电气性能进行综合分析。最终发现,随着In_(2)O_(3)含量的增加,低压ZnO压敏电阻的电气性能得到提升,但是过量的In_(2)O_(3)却会使其残压比和正反极性增加。I-3电阻片具有最佳的电学性能,其电位梯度为115.5 V·mm^(-1),漏电流为1.34μA,非线性系数α为68.1,以及残压比为2.20。其耐8/20μs、10 kA浪涌冲击正面变化变化率为-0.2%,反面变化率-4.8%。

ZnO低压压敏电阻陶瓷材料研究进展

本文详细介绍了不同体系的ZnO低压压敏电阻材料特点及各自的局限性,并且对ZnO压敏电阻向低压化发展趋势下出现的材料低温烧结技术进行了评述。最后在总结以往研究的基础上提出了若干ZnO低压压敏电阻材料组份设计上的原则,可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义。

高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系,并运用高温(800℃)烧银技术,可实现压敏电压低压化,并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V/mm左右,电压极性为1V以下,非线性系数大30以上,泄漏电流5μA以下,限制电压比约1.5(2.5A),芯片Φ10mm产品经1300A雷电流(8/20μS)冲击,压敏电压变化率为-3%左右,产品已实现产业化。