单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。

S波段单片低噪声放大器

S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。

UHF/SHF单片低噪声放大器的设计

利用源极负反馈和共轭匹配的方法,设计出一种特高频及超高频（UHF/SHF）单片低噪声放大器,工作频带在2.65~3.45GHz范围内,噪声系数小于1.5dB,增益大于25dB,带内平坦度为±0.5dB、电压驻波比小于1.5.结果表明该低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高,能够满足现代通信技术的要求.

基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。

宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～＋85℃时和-55℃～＋125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.

半导体集成电路、单片和多片集成电路

Y98-61305-383 9905881新颖功率器件用技术 CAD=Technology CAD for smartpower devices[会,英]/Simlinger,T.& Pichler,Ch.//1997 Proceedings of the International SemiconductorConference,Vol.2.—383～393(UV)对 VLIC 技术来说,技术 CAD 是标准过程开发方法的有益补充。文中重点探讨了适用于新颖功率器件开发利用的技术 CAD 用维也纳综合系统(VISTA)。叙述了 VISTA 的结构、最佳模块和应用实例。给出了一些结论以及 VISTA 进一步开发的设想。这是一篇特邀论文。