一种2.4GHzCMOS低噪声放大器的优化设计

通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析,得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响,而线性度主要受第二级MOS管的影响。并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法。采用该方法设计一个基于TSMC0.25μmCMOS工艺、2.4GHz的低噪声放大器,仿真结果表明在2.4GHz下,它的噪声系数[NF]为1.15dB,增益S21为16.5dB,工作电压1.5V时,功耗为14mW,线性度IIP3为0.3dBm。