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高T_c铜氧化物超导体的低密度载流子特征
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作者 黄新民 陈羽 《陕西理工学院学报(自然科学版)》 2014年第1期71-74,共4页
用电负性均衡原理研究在高Tc铜氧化物超导体中由于元素中有化学键的形成,形成了低密度载流子浓度并对超导电性产生了强烈的影响;由于元素之间形成化学键,电子密度的分布在超导材料中的不均匀性,使得超导材料中形成宏观物理性质不同的板... 用电负性均衡原理研究在高Tc铜氧化物超导体中由于元素中有化学键的形成,形成了低密度载流子浓度并对超导电性产生了强烈的影响;由于元素之间形成化学键,电子密度的分布在超导材料中的不均匀性,使得超导材料中形成宏观物理性质不同的板块结构。 展开更多
关键词 电负性均衡原理 低密度载流子超导体 高TC 铜氧化物超导体
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