0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low Ron)NLDMOS研究

介绍一组基于0.18μm逻辑平台构建的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。该组LDMOS涵盖10~30 V应用电压。该NLDMOS为完全隔离型,因而其源端和漏端均可以独立于衬底加偏压。针对Drift区域和Body区域分别进行结构优化,最终得到性能良好的低导通态电阻（Low Ron）NLDMOS。其导通态电阻（Ron）为4.4 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）~20 V,21 mΩ·mm-2对应击穿电压（BV）~41 V。