电泳芯片上低工作电压分离模式的电场模拟分析

本文根据电泳芯片的低工作电压分离理论模型,选定采用对分离管道侧壁阵列电极以等间距施加电压的方式作为电场模拟分析的模型。利用ANSYS有限元软件分析系统,对微分离管道中的电场分布进行模拟仿真分析。重点探讨了阵列电极的布置方式、电极个数和位置、微分离管道形状、电极表面绝缘层等因素对微管道中电场分布的影响;详细计算和优化了利用电极阵列实现低工作电压分离过程中,分离微管道及电极阵列的基本设计和结构参数。这为研制一种微型化的低电压电泳芯片系统奠定了一定的理论基础。

超低工作电压充电泵S-882Z系列

便携式产品为了减轻重量及缩小体积，在设计上尽量减少电池的数量。若便携式电路工作电压高于电池电压时，往往采用升压式充电泵或升压式DC／Dc转换器。传统的充电泵的最低输入电压在0．9～1．0V之间，升压式DC／DC转换器的最低输入电压为1．0V左右（启动电压为0．6～0．7V）。

超低工作电压充电泵S-882Z

S-882Z系列与以往的充电泵IC不同，是采用完全耗尽型SOI（绝缘体上硅）技术开发的、可以超低电压工作的升压DC／DC转换器启动用充电泵IC。由于利用非常低的输入电压（0．3～0．35V）即可升压，因此可有效地利用微弱的能源。升压电力可存储在外接的启动用电容器中，一旦达到所设定的放电开始电压，就可以作为升压DC／DC转换器的启动电力，来进行放电。另外，由于内置了开／关控制功能，因此所连接的升压DC／DC转换器的输出电压达到一定值以上时，

降低液晶工作电压的高介电性掺杂物

合成了几种具有大介电各向异性和小弹性常数的线性多烯化合物，并对其物理性质进行了测定。这些化合物的介电各向异性与它们的具体分子结构有关，一般在６０到７０之间变化。往一种极性和非极性液晶混合物中添加３％的这些化合物，可以大大降低液晶混合物的阈值电压，而只引起粘度的小量增加。

低电压下静电力驱动的数字微流控芯片

设计并制作了一种基于静电力驱动的数字微流控芯片,用于构建芯片实验室。介绍了静电力驱动原理和芯片制作工艺流程,搭建了驱动检测实验平台。该芯片采用硅作衬底,氧化硅作绝缘层,TiW/Au为驱动电极阵列,氮化硅作介质层,碳氟聚合物为疏水层。由于采用开放式的结构,只需单层共平面控制电极,简化了工艺流程,优化了器件结构;而驱动电极阵列嵌入在氧化硅中,改善了减小介质层厚度时介质层对金属的台阶覆盖性,减少了电极边沿突起引起的边界击穿。另外,采用较薄的高质量介质层和疏水性能好的疏水膜层,大大降低了液滴驱动电压。实验显示,在20 V驱动电压下,该工艺可实现液滴按程序设定方式在二维平面内流畅运动,最大运动速度达96 mm/s。提出的芯片制作工艺简单,与IC工艺兼容,可应用于生化分析芯片实验室系统。

低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制

提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结果显示,电流输出能力为2.4 A/mm,跨导极值为518 mS/mm,小信号f_(t)达到85 GHz,f_(max)大于141 GHz。在5G毫米波段28 GHz频率点测试了大信号特性,当V_(DS)=3 V时,输出功率密度为0.55 W/mm,功率附加效率(PAE)为40.1%;当V_(DS)=6 V时,输出功率密度为1.6 W/mm,PAE达到47.8%。该器件具有低压毫米波应用的潜力。

德州仪器推出电源电压低于1V的新型电源电压监控器

德州仪器公司（TI）推出一款可监控电源电压在0．55—3．3V范围内的新型电源电压监控器系列，这是业界首款即使在电源电压降至0．4V时仍能确保提供有效复位脉冲的产品。该系列独特的0．4V最低工作电压特别适合于电池供电的产品，如无线通信系统、工业设备和可编程控制、便携式笔记本电脑和自动系统。

两款新型低电压运算放大器系列

本文介绍两款新型低工作电压运算放大器系列。其一是Microchip公司的MCP6G01，02，03，04，其二是Liner公司的LT6003／04／05。

Vishay Siliconix推出尺寸极小的新款低压模拟开关

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关——DG2735A、DG2725和DG2599。这些器件具有低工作电压和低导通电阻,采用小尺寸miniQFN封装,可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。

超低压差线性稳压器LTC3025

LTC3025是一种微功耗、超低压差（VLDo）、低工作电压的线性稳压器。其主要特点：宽的输入电压（0．9V到5．5V）；输出仅需1uF多层陶瓷电容：很低的压差（在300mA输出时仅为45mV）：输出电压可设定（从0．4V到3．6V）；在工作温度范围及输出电流范围内输出电压精度为±2％；噪声电压低（在10Hz到100kHz范围为80μVRRMS）；

ADI推出低功耗、高速放大器

美国模拟器件公司发布ADA4850—1型和ADA4850—2型一对高性能视频放大器，它们具有低工作电压和业界最低待机功耗，从而能够延长便携式多媒体消费类应用中的电池寿命。该新系列低功耗放大器，包括ADA4850—1单输出和ADA4850—2双输出放大器都适合电池供电的视频设备，可在电视上高效地回放高质量视频。当不需要视频显示器时，该放大器具有专有的低功耗待机功能以显著降低功耗，

HT82K68A—L：1.8V低压掩膜MCU

HOLTEK半导体为满足客户在无线键盘／鼠标产品中对低工作电压的应用需求，新开发出八位I／O型微控制器，具有3K×16Mask程序内存、160×8数据存储器、34个双向I／O、3个高驱动能力Output输出口、1个8bit定时器与1个16bit定时器及LVR等规格，其工作电压最低可到1．8V。

256Kb低功耗、高性能串口FRAM

带有I^2C接口的FM24V02和带有SPI接口的FM25V02都是具有高速读／写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性FRAM，工作电压范围为2．0～3．6V，采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点。

Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关

日前，Vishay宣布．推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关———、DG2735A、DG2725和jDG2599。这些器件具；有低工作电压和低导通电阻．采用小尺寸：miniQFN封装．可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。

Atmel用于ZigBee、ISM等的2.4GHz AT86RF232低功耗收发器

概述Atmel公司的AT86RF232是用于Zig Bee、IEEE802.15.4、6Lo WPAN、RF4CE以及ISM的2.4GHz低功耗收发器,是真正的SPI到天线解决方案。除了天线、晶体和去偶电容,所有的RF元件都集成在芯片中。接收器灵敏度为-100d Bm,可编程输出功率从-17d Bm^+3d Bm,超低工作电压1.8V^3.6V(内部有稳压器),睡眠模式电流为0.4μA,最大发射功率时的功耗13.8mA,具有AES128位硬件加速器。

针对便携和无线音频应用的低压模拟开关 采用无铅薄型QFN／薄型DFN封装

三种新型低电阻模拟开关分别是6引脚、10引脚和16引脚器件，采用无铅薄型QFN／薄型DFN封装。它们是为低工作电压的便携和无线应用中音频信号大电流开关而设计，适用于要求导通电阻（Ron）小的较大功率音频应用。

低压放电灯

2501073低压冷阴极荧光灯【专利】／东南大学，／CN1684222A。高光效低工作电压冷阴极荧光灯涉及液晶显示背光源、电器照明及日常照明等场合应用的冷阴极荧光灯，在结构上，在内壁涂有荧光粉的荧光灯玻管的两端，放置一对表面涂覆有具有高二次电子发射系数材料的介质层的金属放电电极，放电电极通过金属引线电极引出到玻管外，

PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源

提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论,采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、温度的敏感性。仿真结果表明:在不同工艺角下,电源电压、温度使基准电压Vref的变化仅为±1.36%。电压参考源的温度系数大约为4.5×10-6℃-1,电源线性调制率为2.1%m V·V-1,最小工作电压仅为0.56 V。