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单晶硅片超精密磨削技术与设备
被引量:
10
1
作者
朱祥龙
康仁科
+1 位作者
董志刚
郭东明
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第18期2156-2164,共9页
结合单晶硅片的发展,回顾了单晶硅片超精密磨削技术与设备的发展历程,对比分析了广泛应用的转台式磨削、硅片旋转磨削和双面磨削等硅片磨削技术的原理及代表性设备的特点,讨论了用于单晶硅片平整化加工和背面减薄加工的低损伤磨削技术...
结合单晶硅片的发展,回顾了单晶硅片超精密磨削技术与设备的发展历程,对比分析了广泛应用的转台式磨削、硅片旋转磨削和双面磨削等硅片磨削技术的原理及代表性设备的特点,讨论了用于单晶硅片平整化加工和背面减薄加工的低损伤磨削技术的最新进展,并对单晶硅片磨削技术的发展趋势进行了展望。
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关键词
单晶硅片
超精密
磨削
磨削
设备
低损伤磨削
平整化
背面减薄
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职称材料
题名
单晶硅片超精密磨削技术与设备
被引量:
10
1
作者
朱祥龙
康仁科
董志刚
郭东明
机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第18期2156-2164,共9页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA042505)
国家科技重大专项02专项(2009ZX02011)
NSFC-广东省联合基金资助项目(U0734008)
文摘
结合单晶硅片的发展,回顾了单晶硅片超精密磨削技术与设备的发展历程,对比分析了广泛应用的转台式磨削、硅片旋转磨削和双面磨削等硅片磨削技术的原理及代表性设备的特点,讨论了用于单晶硅片平整化加工和背面减薄加工的低损伤磨削技术的最新进展,并对单晶硅片磨削技术的发展趋势进行了展望。
关键词
单晶硅片
超精密
磨削
磨削
设备
低损伤磨削
平整化
背面减薄
Keywords
silicon wafer
ultra-precision grinding
grinder
low-damage grinding
planarization
back thinning
分类号
TN305.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶硅片超精密磨削技术与设备
朱祥龙
康仁科
董志刚
郭东明
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
10
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