低损耗宽带声表滤波器

移动通信需要低损耗高性能的单相单向换能器 (SPU DT) ,其设计常采用变指宽来实现 ,但目前的设计水平还很难满足需求。基于耦合模式模型理论 ,采用优化算法 ,寻找到最佳的单胞结构 ,使每个单元的反射率超过 5 %。利用这样的单胞所构成的滤波器频带宽 ,面积小 ,性能远优于当前水平的滤波器。用不加权的 19个单相单向换能器单元构成滤波器 ,其实测单向性达到 19d B,3d B的带宽为 4 %～ 5 % ,插损 3.1d B。实验证实 SPUDT单胞优化是可以做到的 ,从而大大改善了滤波器性能。

纵向耦合滤波器组成模块对器件性能影响的研究

通过建立结构的设计数学模型,采用耦合模(COM)理论,研究了纵向耦合低损耗滤波器各个组成模块以及它们对器件性能的相互影响,由此给出了最佳设计纵向耦合低损耗滤波器的方法,并给出了一个具体设计的理论预计和实际制作器件结果比较,验证了研究结果。

单向单相分布式声反射结构的声表面波滤波器

分析了均匀分布式声反射(DART)和抽指DART换能器的结构,并用准静态分析法和反射列阵模型(REM)推导出它们的P矩阵、Y矩阵及S12参数。设计了一个中心频率为140 MHz,相对带宽为0.1%,插入损耗10 dB,波纹小于1 dB,带外大于40 dB的窄带低损耗滤波器。压电基片材料为水晶,器件封装尺寸为13 mm×6.5 mm的表贴外壳。

低损耗SAWF的研制及探讨

本文主要叙述了用于通信系统中输入滤波器及其它要求低损耗ＳＡＷＦ的多种实现方法，介绍常用的交叉就指换能器和电极宽度控制的单相单向换能器。给出研制的几种低损耗ＳＡＷＦ的实验结果。

A Passive Low-Pass Filter on Low-Loss Substrate

The loss mechanisms of different passive devices （on-chip inductors and capacitors） on different substrates are analyzed and compared. OPS （oxidized porous silicon） and HR （high-resistivity） substrates are used as low-loss substrates for on-chip planar LPF （low pass filter） fabrication. For the study of substrate loss, a planar coil inductor is also designed. Simulation results show that Q （the quality factor） of the inductor on both substrates is over 20. Measurements of the LPF on OPS substrate give a - 3dB bandwidth of 2.9GHz and a midband insertion loss of 0.87dB at 500MHz. The LPF on HR substrate gives a - 3dB bandwidth of 2.3GHz and a midband insertion loss of 0.42dB at 500MHz.

微波集成电路、毫米波集成电路

Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symposium,Vol.1.—229～232(U)现已开发出一种在硅衬底上集成了微加工低损耗滤波器和倒装片有源器件的新型三维 K 波段接收机前端集成电路。

陶瓷材料

Y98-61383-235 9904282铌酸钾超高电机耦合和零温度特性及其在低损耗宽带滤波器中的应用=Super high electromechanical cou-pling and zero-temperature characteristics of kNbO3 andits applications for low-loss wide band filters[会,英]/