一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器

设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0.18μmCMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12dB。

基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器

介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在7 mW的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在340~490 GHz的宽带内,变频损耗在14.2~20 dB之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为4020~17100 K。

微波光子本振源振动响应研究

提升发射信号频谱纯度、降低相位噪声是现代机载雷达追求的目标,基于光电谐振腔的微波光子本振源直接产生的高频本振信号相噪水平明显优于传统微波本振源。当前对微波光子本振源环境适应性研究较少,同时机载雷达的工作环境极其苛刻,这将对微波光子本振源迈向实用化造成阻碍。文中从微波光子本振源相位噪声基本原理出发,对振动环境中的微波光子本振源相噪水平进行了理论分析和数值模拟,建立了微波光子本振源相噪受振动影响的经验公式,最后通过振动试验验证相关相噪理论的有效性,并结合试验结果分析了微波光子本振源的改进方案。这些工作为机载雷达微波光子本振源的工程应用奠定了良好的基础。

一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器

设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功率的要求,引入比较器和本振驱动器,并采用双平衡无源混频器提供良好的线性度.采用0.18µm的SiGe双极兼容互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,同时支持上变频和下变频功能.实测结果表明,射频端口可覆盖6~18 GHz频段的信号,中频端口可覆盖0~6 GHz频段的信号;下变频时和上变频时的变频损耗典型值分别为-10.0 dB和-9.8 dB;IIP3在工作频段内的最大值分别为23.0 dBm和23.4 dBm;功耗为500 mW.在实现高线性度混频器的基础上,减小了输入本振功率的需求,提高了高线性混频器的实用性.

某雷达频率综合器设计浅析

频率综合器(简称频综)是雷达的重要组成部分,其技术指标直接影响雷达的性能。优秀的频率综合器设计是保证雷达性能指标的重要途径,因此如何进行设计非常关键。本文以某型号雷达频综方案设计为例,简要分析如何进行并确定最优的频综方案。

基于反向平行二极管对管的高性能W波段谐波混频器（英文）

采用砷化镓反向平行二极管对管,提出了一款W波段高性能谐波混频器。二极管对管是由实验室砷化镓工艺线制作而成,并且二极管对管的模型显示具有极高的截止频率和低的串联电阻特性,所以适用于W波段。基于此二极管对管,设计、制作并测试了石英衬底上的W波段谐波混频器。结果显示在80 GHz^100 GHz的频率范围内,谐波混频器的变频损耗为9.2 d B^12 d B,并且所需要的本振功率仅为6 d Bm,能够很好地减少对本振源的需求。

UV频百瓦级可调大功率信号激励源设计

本文介绍了UV频百瓦级可调大功率信号激励源的原理、电路结构以及总体设计方案,对电源模块、激励模块、功放模块和显控模块等关键部件的设计提出了解决办法,该激励源已被小批量生产,并成功运用。

频率合成器中AFC错锁的危害及消除

介绍了频率合成器中AFC频率错锁的危害及消除方法。