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题名低压力Cu布线CMP速率的研究
被引量:4
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作者
刘海晓
刘玉岭
刘效岩
李晖
王辰伟
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机构
河北工业大学微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期761-763,767,共4页
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基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
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文摘
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战。通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响。在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性。
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关键词
化学机械抛光
铜布线
低机械强度
抛光速率
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Keywords
chemical mechanical polishing(CMP)
copper interconnection
low mechanical action
polishing rate
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分类号
TN405.97
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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