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HT-7装置中低杂波电流驱动时的电子温度
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作者 崔祚辉 张先梅 沈鑫 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期497-500,共4页
在HT-7托卡马克实验装置中采用低杂波电流驱动,在不同低杂波功率和电子密度(ne)下,考察中心电子温度和能量约束时间的变化。观察到当ne=1.3×10^19-2.6×10^19m^-3时,中心电子温度随低杂波输入功率的增大而升高;当ne=1.3×... 在HT-7托卡马克实验装置中采用低杂波电流驱动,在不同低杂波功率和电子密度(ne)下,考察中心电子温度和能量约束时间的变化。观察到当ne=1.3×10^19-2.6×10^19m^-3时,中心电子温度随低杂波输入功率的增大而升高;当ne=1.3×10^19m^-3,低杂波输入功率为400 kW时,电子温度最高,达到1.37 keV。在本实验参数范围内,其能量约束时间与ITER89-P L-模定标率十分吻合。比较欧姆加热和低杂波加热下的电子温度分布,当ne=1.71×10^19m^-3,低杂波输入功率为260 kW时,电子温度有明显的温度梯度出现。 展开更多
关键词 杂波(lhw) 电子密度 电子温度 约束时间
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