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提高微波功率晶体管击穿电压研究
被引量:
6
1
作者
黄忠升
潘宏菽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期22-26,共5页
微波功率晶体管其微波参数(fT、GP、PO等)和击穿电压BVCBO对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾,使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压BVCBO获得明显改善。此工艺已...
微波功率晶体管其微波参数(fT、GP、PO等)和击穿电压BVCBO对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾,使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压BVCBO获得明显改善。此工艺已成功用于3.1~3.4GHz系列脉冲功率晶体管研制中。
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关键词
微波
低浓度深结
环扩
功率晶体管
下载PDF
职称材料
题名
提高微波功率晶体管击穿电压研究
被引量:
6
1
作者
黄忠升
潘宏菽
机构
电子工业部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第5期22-26,共5页
文摘
微波功率晶体管其微波参数(fT、GP、PO等)和击穿电压BVCBO对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾,使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压BVCBO获得明显改善。此工艺已成功用于3.1~3.4GHz系列脉冲功率晶体管研制中。
关键词
微波
低浓度深结
环扩
功率晶体管
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高微波功率晶体管击穿电压研究
黄忠升
潘宏菽
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996
6
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