RESURF 二极管的低温优化模型

首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二极管的低温优化模型，推导出７７Ｋ～３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。该模型可应用于ＬＤＭＯＳＴ和ＬＩＧＢＴ等ＲＥＳＵＲＦ器件的低温优化设计。