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N-Ga_(1-x)Al_xAs的低温光伏特性
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作者 连世阳 陈张海 +2 位作者 颜永美 王余姜 陈议明 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期711-714,共4页
报道了N-Ga_(1-x)Al_xAs低温光伏的异常特性.在暗条件下降温的样品,其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多,对这两种不同初始条件,当样品加热到大约100~150K时,其低温光伏强度发生跳跃... 报道了N-Ga_(1-x)Al_xAs低温光伏的异常特性.在暗条件下降温的样品,其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多,对这两种不同初始条件,当样品加热到大约100~150K时,其低温光伏强度发生跳跃.这些异常特性归因于N-Ga_(1-x)Al_xAs(x>0.22)中的DX中心的电荷态变化. 展开更多
关键词 低温光伏 异常特性 混晶半导体
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