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N-Ga_(1-x)Al_xAs的低温光伏特性
1
作者
连世阳
陈张海
+2 位作者
颜永美
王余姜
陈议明
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期711-714,共4页
报道了N-Ga_(1-x)Al_xAs低温光伏的异常特性.在暗条件下降温的样品,其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多,对这两种不同初始条件,当样品加热到大约100~150K时,其低温光伏强度发生跳跃...
报道了N-Ga_(1-x)Al_xAs低温光伏的异常特性.在暗条件下降温的样品,其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多,对这两种不同初始条件,当样品加热到大约100~150K时,其低温光伏强度发生跳跃.这些异常特性归因于N-Ga_(1-x)Al_xAs(x>0.22)中的DX中心的电荷态变化.
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关键词
低温光伏
异常特性
混晶半导体
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职称材料
题名
N-Ga_(1-x)Al_xAs的低温光伏特性
1
作者
连世阳
陈张海
颜永美
王余姜
陈议明
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期711-714,共4页
基金
福建省自然科学基金
文摘
报道了N-Ga_(1-x)Al_xAs低温光伏的异常特性.在暗条件下降温的样品,其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多,对这两种不同初始条件,当样品加热到大约100~150K时,其低温光伏强度发生跳跃.这些异常特性归因于N-Ga_(1-x)Al_xAs(x>0.22)中的DX中心的电荷态变化.
关键词
低温光伏
异常特性
混晶半导体
Keywords
Photovoltage at low temperature, Unusual behavior, DX center
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
O472.8 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
N-Ga_(1-x)Al_xAs的低温光伏特性
连世阳
陈张海
颜永美
王余姜
陈议明
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1995
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