Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光

砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.

6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。

砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释

本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.

用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。

发光、荧光材料

O482.31 95032051MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究=Studies on low temperature photo-lumineseence spectra of InGaAs/GaAs stra-ined quantum wells by MOCVD[刊,中]/王小军,王启明,庄婉如,郑婉华(中科院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))。

MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90％。

Ru(Ⅱ)联吡啶配合物的合成及其光学性质的研究

以2,2′-联吡啶为原料,合成了Ru(Ⅱ)联吡啶配合物,其结构经^(1)H NMR,^(13)C NMR和MALDI-TOF表征。测试并分析了化合物的紫外吸收、室温(298 K)光致发光和低温(77 K)光致发光性能。结果表明:配合物的紫外吸收性能优于Ru(bpy)3(PF 6)2;发射波长位于654,676,680,689 nm处,说明引入不同的取代基团,能够有效调控配合物的发射波长。

CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.

Transforming bilayer MoS2 into single-layer with strong photoluminescence using UV-ozone oxidation

在射出设备的光的单个层的瞬间 2 的使用要求创新方法提高它的低光致发光(PL ) 量产量。在这个工作，我们报导有强壮的 PL 的单个层的瞬间 2 能被氧化准备用紫外臭氧的氧化的 bilayer 瞬间 2 。当与剥落得机械地的单个层的瞬间 2, 相比紫外臭氧的氧化准备的单个层的瞬间 2 的 PL 紧张到 2030 次被提高，我们显示出那。我们证明中立激子和 trions (控告的激子) 的 PL 紧张能极大地在氧化瞬间 2 样品被提高。这些结果提供新奇卓见进单个层的瞬间 2 的 PL 改进。