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砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释
1
作者
邹重基
邹元燨
《应用科学学报》
CAS
1987年第2期108-112,共5页
本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.
关键词
发射带
LEC
半绝缘
低温光致发光光谱
位错密度
晶体生长
能级
砷化镓
砷化物
下载PDF
职称材料
MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性
被引量:
2
2
作者
蒋红
金亿鑫
+2 位作者
缪国庆
宋航
元光
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期632-636,共5页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等...
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%。
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关键词
金属有机化学气相沉积
MOCVD
半导体材料
磷化铟
磷砷铟镓
布喇格反射镜
X射线衍射
扫描电子显微镜
低温光致发光光谱
反射率
周期数
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职称材料
题名
砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释
1
作者
邹重基
邹元燨
机构
上海科学技术大学
中国科学院上海冶金研究所
出处
《应用科学学报》
CAS
1987年第2期108-112,共5页
文摘
本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.
关键词
发射带
LEC
半绝缘
低温光致发光光谱
位错密度
晶体生长
能级
砷化镓
砷化物
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性
被引量:
2
2
作者
蒋红
金亿鑫
缪国庆
宋航
元光
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期632-636,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50072030
60177014)
文摘
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%。
关键词
金属有机化学气相沉积
MOCVD
半导体材料
磷化铟
磷砷铟镓
布喇格反射镜
X射线衍射
扫描电子显微镜
低温光致发光光谱
反射率
周期数
Keywords
MOCVD
InP/GaInAsP
distribution Bragg reflector
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释
邹重基
邹元燨
《应用科学学报》
CAS
1987
0
下载PDF
职称材料
2
MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性
蒋红
金亿鑫
缪国庆
宋航
元光
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
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