纳米晶MnFe_2O_4的低温共沉淀法合成及表征

In this article,MnFe2O4 nanocrystals were synthesized by coprecipitation at low temperature,and the effects of temperature,time and additive on crystallization and particle sizes of samples were also studied.In addition,the samples prepared by the method were characterized by XRD,TEM and VSM,respectively.

低温共沉淀法制备ZnMn_(2)O_(4)微纳米材料及其电化学性能

为了获得电化学性能优良的ZnMn_(2)O_(4)材料,以Zn(NO_(3))_(2)和MnCl_(2)作为原料,以乙二醇作为溶剂,以Na2CO3作为沉淀剂,采用低温共沉淀法,制备得到微纳米颗粒堆积的ZnMn_(2)O_(4)粉体。通过XRD、SEM/TEM、BET、BJH、XPS等手段对所制备的ZnMn_(2)O_(4)样品进行结构表征。采用三电极体系,对样品进行了电化学性能测试。结果表明:所制备的ZnMn_(2)O_(4)样品属于介孔材料,比表面积可达95.8 m^(2)/g,样品电极具有较好的电荷存储能力。研究结果可为电化学性能优良的ZnMn_(2)O_(4)材料的制备提供新的思路。

低温共沉淀法合成多孔CoFe LDH纳米片电催化剂

通过低温共沉淀技术合成了多孔CoFe层状双金属氢氧化物(CoFe LDH)纳米片。运用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对产物的物相、组成及微观形貌进行了表征,并探讨了铁离子(Fe3+)含量对CoFe LDH纳米结构生长行为的影响,考察了制备的产物作为电催化剂在电解水析氧反应中的性能。结果表明,Fe3+的加入可以有效调节产物的形貌、结晶度和孔道结构。在合适的Co与Fe比例条件下,制备的CoFe LDH可形成多孔纳米片,且增大了总孔体积,增加了表面活性位点。同时,结晶CoFe LDH纳米片可促进Co和Fe离子间的电荷转移行为,从而提高产物的电催化活性。对于电解水析氧反应,当电流密度为10 mA/cm2时,结晶Co0.67Fe0.33 LDH多孔纳米片所需的过电势仅为291 mV,Tafel斜率为33 mV/dec,并展现出良好的循环稳定性。

分级多孔六边形球霰石板块的快速制备及应用

以羧甲基壳聚糖(carboxymethyl chitosan,CMC)、氯化钙和碳酸钠为原料,采用超声波辅助低温共沉淀法,在反应温度为0℃、CMC添加量为5%(质量分数)和反应时间为12 s条件下,快速制得形貌独特、孔径集中于0.6~8.0 nm的分级多孔六边形球霰石型碳酸钙板块,并用颗粒附着结晶机理解释了其形成过程。在共混制备碳酸钙/壳聚糖复合膜中,六边形球霰石板块的表观粒度大、容易分散,而且其分级孔隙结构便于壳聚糖的快速渗入,从而提升了壳聚糖与碳酸钙之间的界面相容性,使壳聚糖/碳酸钙复合膜展现出优异的力学性能:当分级多孔六边形球霰石板块的添加量达6%(质量分数)时,壳聚糖/碳酸钙复合膜的抗拉强度高达44.2 MPa,断裂伸长率为11.4%。该研究为探索碳酸钙的生物矿化机理和高性能复合膜的制备提供了新的思路。

MnFe_2O_4纳米晶体的制备及表征

本文分别采用低温共沉淀法、高温法和水热法制备MnFe2O4的纳米晶体。利用XRD、TEM和VSM对试样进行了表征。重点研究了低温共沉淀法的制备方法。通过对三种方法的对比分析,试验结果表明低温共沉淀法适宜制备小粒径的MnFe2O4。

铁酸锰晶体的制备及性能研究

为探究不同制备工艺对制备铁酸锰纳米晶体的影响,以及检测铁酸锰晶体的电化学特性,以硫酸锰和氯化铁为原料,分别采用低温共沉淀法、高温法及水热法在碱性环境下制备铁酸锰晶体,通过XRD对产物进行晶体结构分析,比较不同工艺条件对铁酸猛结晶性的影响。结果表明:低温共沉淀法制备的铁酸锰结晶性高且制备成本更低。对75℃条件下低温共沉淀法制备的铁酸锰晶体进行充放电测试,该材料首次充放电电容量为92m Ah/g。

Fe-Mn催化剂的FTO性能研究

采用低温(-10℃)共沉淀技术制备Fe-Mn催化剂,研究Mn助剂对合成气直接制低碳烯烃(FTO)反应的影响。考察了不同Mn摩尔分数对催化剂的结构和性能的影响,结果表明,添加的Mn具有显著的几何分散效应和电子效应。构效关系研究发现,催化活性与催化剂的H2吸附量有关,而与催化剂比表面积和Fe-Mn间相互作用关系不大,其中添加摩尔分数20%的Mn可以使Fe基催化剂表面形成最多的吸附活性位,转换频率(TOF)为5. 7×10-3s-1。