低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。

低温共烧玻璃陶瓷基板烧结过程分析Ⅰ低温区有机物的分解及变化

利用傅立叶红外谱仪（ＦＴＩＲ）对低温共烧玻璃陶瓷基板排胶过程中有机物的分解情况和分解产物进行了分析。利用ＴＧＡ、ＤＴＡ对基板吸热、放热和热失重情况进行了研究。结果表明：小分子有机物在室温阶段已挥发殆尽。高分子有机物ＰＶＢ在２００～３６０℃温度区间内发生侧链和主链的脱离和断裂，与空气反应生成 ＣＯ２、水蒸汽、丁醛等产物。由于 ＰＶＢ的分解，基板颗粒仅以几何方式堆积，基板没有机械强度。

60GHz贴片天线用低温共烧陶瓷基板的微机械加工

为有效提升60GHz贴片天线及阵列的辐射带宽,提出利用微机械手段加工天线的低温共烧陶瓷(LTCC)基板。通过微切削方法在特定生瓷层上制作贯通结构,充填可挥发牺牲材料,完成基板叠压、烧结,待牺牲层升华排净后最终构成三维微结构。设计、制备了悬臂梁、围框结构和微管道等工艺样品。对天线设计电性能进行全波分析,并测试了微流道散热特性。实验结果表明:提出的方法成功解决了不同轴系各方向收缩率不一致、空腔塌陷等工艺问题,制作出的悬臂梁与围框尺寸高宽比达4∶1,总长为12mm,总层厚为1.4mm;内嵌微流道横截面为200μm×200μm,长度达25cm以上;内部光滑,基板表面贴装发热功率密度达2W/cm2的功率器件时提供40K以上的冷却能力;基板经过微机械加工后,天线的辐射带宽可从2.7GHz增加到5.3GHz,而增益的损失甚微。这些结果显示,用简单、低成本的微机械加工方法可在不显著增加制造成本的情况下有效扩增毫米波贴片天线的辐射带宽,为贴片天线阵中有源发射功率器件的设计和贴片天线的三维高密度集成提供了有效的技术支持。

MCM低温共烧多层陶瓷布线基板热应力的模拟与分析

对ＭＣＭ低温共烧多层布线陶瓷基板的两种典型布线模式在温度急剧变化条件下的应力场进行了计算机模拟，并分析了两种模型下的应力分布特点及差异。

CaO-ZnO-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3低温共烧复合陶瓷基板研究

用CaO-ZnO-B2O3-SiO2玻璃和氧化铝陶瓷复合材料制备了低温共烧陶瓷基板。在CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃中引入ZnO,玻璃微晶化后的主晶相仍为硅灰石,但它的软化温度有不同程度的降低,同时析晶温度也有了显著的改变。特别是以ZnO部分取代CaO时,析晶温度明显提高。该玻璃与氧化铝复合可以在较宽的温度范围内烧结。在850℃/30 min烧结,得到了气孔率为1%、介电常数εr=7.10的陶瓷基板材料。

低温共烧陶瓷基板的薄膜金属化

就低温共烧陶瓷(LTCC)基板实用化过程中遇到的问题,研究了LTCC基板的薄膜金属化技术;经复合膜系Ti/Ni/Au薄膜金属化的LTCC基板可满足各项技术指标要求,通过考核证明了用此方法制得的基板可靠性高,完全满足使用要求。

低温共烧多层陶瓷IC基板

介绍低温共烧多层陶瓷IC基板的应用、生产工艺和性能。

银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究

从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。

电子基板用玻璃/陶瓷复合材料的低温共烧与性能

玻璃/陶瓷低温共烧复合材料具有高导热性、快速电子信号传输性能、热膨胀系数与硅匹配、力学性能良好等优点,被广泛应用作电子基板材料。本文简要阐述了玻璃/陶瓷复合材料的烧结机理和影响因素,综述了主要的制备方法,指出了烧结过程中可能存在的关键问题,并讨论了玻璃/陶瓷复合材料的性能调控方法。最后,展望了玻璃/陶瓷复合材料在电子信息领域的发展方向和应用前景。

薄膜金属化低温共烧陶瓷基板的阻碍层对共晶焊的影响

讨论了低温共烧陶瓷基板薄膜金属化技术中，有效阻碍层的选择对基板共晶焊的剪切强度、互连阻抗、可焊性的影响。试验结果表明，Ti / Ni是一种高可靠性的阻碍层，且Ti / Ni / Au也是一种较理想的低温共烧陶瓷基板薄膜金属化结构。

低温共烧多层陶瓷基板实用化技术研究

在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。

低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状

主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称 LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的 LTCC 技术。

二流体清洗低温共烧陶瓷基板可靠性研究

激光划切后的低温共烧陶瓷基板表面会不可避免地存在异物残留,传统的人工清洗方式效率较低,不太适合大规模的工业化生产。通过使用"去离子水-压缩空气"的二流体体系对激光划切后的低温共烧陶瓷基板进行清洗,可有效去除划切后基板表面的沉积异物,清洗效果与二流体中的气压呈正相关关系,并且二流体清洗不会对金属化图形与基板表面的结合产生明显的负面影响,因而清洗后的样品可以很好地满足后续元件的组装工艺需求。

低温共烧陶瓷基板及其封装应用

低温共烧陶瓷LTCC基板是实现小型化、高可靠微波多芯片组件MMCM的一种理想的封装技术一文章对LTCC技术的特点及应用做出了评述,主要介绍国内外LTCC的现状、发展趋势与问题,同时突出强调了LTCC的飞速发展及对微波器件的重要性。

低温共烧陶瓷基板大面积锡铅可焊性研究

低温共烧陶瓷技术以小型化和高可靠性的优势被广泛地应用在微波通信、航空航天和军事电子等领域。基于LTCC技术的微波模块和系统可有效提高电路的封装密度及可靠性。然而在制作过程中发现,使用FerroA6M和金铂钯浆料CN36-020所制作的LTCC基板可焊性较差,影响后续器件与基板的焊接和贴装。通过实验分析了可焊性差的原因,并从LTCC基板制造关键工序着手,提出了优化基板可焊性的解决措施。

共烧陶瓷多层基板技术及其发展应用

论述了高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷的优缺点,并讨论了多层共烧陶瓷的材料选择、工艺过程与控制,然后在提高材料性能方面提出了一些建议和方法,同时介绍了多层共烧陶瓷的国内外研究状况及今后的发展趋势。

低温共烧陶瓷材料基板用玻璃/氧化铝复合材料的制备及性能研究

一、背景 近年来，随着现代通讯技术的迅速发展，特别是移动通讯设备不断向低成本、小型化、轻量化、高稳定与频率系列化方向发展，人们对微波介质陶瓷材料提出了更高的要求，

低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的制备工艺以及未来应用前景。

LTCC基板共烧平整度工艺研究

LTCC共烧工艺是基板加工的重要环节,有很多因素会影响产品加工进程。一般来说,从设计上要预先充分考虑,以避免负面因素影响基板共烧效果。介绍了LTCC基板/低温共烧陶瓷基板技术及共烧致密化技术的机理,阐述了LTCC平整度重要性及改善基板表面平整度工艺的优化过程。通过综合比较版图优化前后的内层金属含量、不同尺寸样品加工、结构设计等因素,经过多重试验验证,结果表明,版图优化措施切实可行,可有效提高LTCC基板共烧平整度。