等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构

等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值>0.99,硅刻蚀速率>1.5μm/min,对SiO2刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力。通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应。本文还对刻蚀过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是台阶对离子轰击的覆盖效应。

多孔材料的低温刻蚀技术

随着半导体芯片特征尺寸的持续减小,低介电常数的多孔材料在微电子领域得到广泛应用.然而,多孔材料在等离子体刻蚀工艺中面对严峻的挑战.等离子体中的活性自由基很容易在多孔材料内部扩散,并与材料发生不可逆的化学反应,在材料内部造成大面积损伤.本文介绍了业内比较前沿的低温刻蚀技术,通过降低基片台的温度,使得刻蚀产物或者刻蚀前驱气体在多孔材料内部凝结成液态或者固态,进而在等离子体刻蚀过程中,阻止活性自由基在材料内部的扩散,保护多孔材料免受损伤.刻蚀完毕后,再通过升高基片台的温度,使凝结物挥发,得到完整无损的刻蚀结构.这一刻蚀技术只需要控制基片台的温度,无需增加工艺的复杂度以及调整等离子体状态,在半导体工艺中具有较好的应用前景.

低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响

采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。

电子特气在低温干法刻蚀中的应用与发展

介绍了低温干法刻蚀技术的技术原理、应用和进展,探讨了不同刻蚀气体和工艺参数对低温干法刻蚀工艺的影响。

基于正交试验的低温电镀铁工艺探讨

为获得适宜的无刻蚀低温电镀铁工艺,以主盐(FeCl2·4H2O)浓度、镀液pH值、镀液温度和电流密度为因素,以沉积速率、维氏硬度、腐蚀速率及耐磨性为性能评价指标,进行了四因素三水平的正交试验。结果表明,电流密度是沉积速率的主要影响因素,镀液pH值是镀层维氏硬度和耐蚀性的主要影响因素,镀液温度为镀层耐磨性的主要影响因素;无刻蚀低温镀铁最佳工艺参数:主盐浓度为400 g/L,pH值为1.0,温度为35℃,电流密度为15 A/dm 2。

基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量

利用微芯片制备技术制备了带有电极的原位电学薄膜芯片,并结合自制的原位透射电镜样品台,实现了低温下透射电子显微镜聚焦电子束对InAs纳米线的精细刻蚀以及不同温度下的原位电学性能测量.研究发现,随着刻蚀区域截面积的减小,纳米线的电导率也随之减小.当纳米线的截面积从大于10000 nm2刻蚀至约800 nm2时,纳米线电导的减小速率与截面积的减小具有线性关系.同时利用低温聚焦电子束刻蚀,在InAs纳米线上原位制备了一个10 nm的纳米点,并在77与300 K下对该纳米点进行了电学性能测量.通过测量发现在77 K时出现库仑阻塞效应,发生了电子隧穿现象;而300 K时,热扰动提供的能量使这种现象消失.

美国摩根高线生产线精轧机辊箱辊轴的修复再利用

针对美国摩根高线生产线精轧机辊箱辊轴备件费用消耗大,进行修复再利用,减少了车间的备件成本消耗。