期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究
1
作者
郑茳
魏同立
+1 位作者
冯耀兰
孟江生
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期12-22,共11页
本文讨论了 MOS 器件表面迁移率的低温特性,研究了 MOS 器件电参数的低温特性,在此基础上提出了低温 MOS 器件的设计考虑。
关键词
MOS
器件
低温
特性
设计
迁移率
电参数
饱和效应
自锁效应
低温微电子器件
下载PDF
职称材料
题名
低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究
1
作者
郑茳
魏同立
冯耀兰
孟江生
机构
东南大学微电子中心
出处
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第3期12-22,共11页
文摘
本文讨论了 MOS 器件表面迁移率的低温特性,研究了 MOS 器件电参数的低温特性,在此基础上提出了低温 MOS 器件的设计考虑。
关键词
MOS
器件
低温
特性
设计
迁移率
电参数
饱和效应
自锁效应
低温微电子器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究
郑茳
魏同立
冯耀兰
孟江生
《低温与超导》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部