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低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究
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作者 郑茳 魏同立 +1 位作者 冯耀兰 孟江生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期12-22,共11页
本文讨论了 MOS 器件表面迁移率的低温特性,研究了 MOS 器件电参数的低温特性,在此基础上提出了低温 MOS 器件的设计考虑。
关键词 MOS器件 低温特性 设计 迁移率 电参数 饱和效应 自锁效应 低温微电子器件
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