HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷 (B2 H6 )掺杂锗硅外延和磷烷 (PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系 .B浓度与 B2 H6 流量基本上成正比例关系 ;生长了 B浓度直至 10 1 9cm- 3的多层阶梯结构 ,各层掺杂浓度均匀 ,过渡区约 2 0 nm,在整个外延层 ,Ge组分 (x=0 .2 0 )均匀而稳定 .PH3掺杂外延速率随 PH3流量增加而逐渐下降 ;P浓度在 PH3流量约为 1.7sccm时达到了峰值 (约 6× 10 1 8cm- 3) .分别按 PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究 PH3掺杂

银掺杂忆阻器的开关特性和限流调控

为了更好地通过低成本、易操作的方法获得性能优异的忆阻器,解决忆阻器在操作电压和循环次数等方面存在的问题,制备掺杂不同质量AgⅠ的前驱体溶液。采用低成本的低温旋涂工艺完成掺银功能层的制备,再采用蒸镀工艺实现基于Ag/Ag^(+)掺杂有机-无机杂化钙钛矿(OIHP)/氧化铟锡(ITO)的忆阻器的制备。掺杂70 mg AgⅠ的忆阻器与未掺杂忆阻器相比,开启电压由0.3 V降至0.13 V,循环次数提升了约20倍,高达100次以上。此外,通过限流调控,器件可同时实现多级存储功能、非易失阻变开关功能以及阈值选通功能,并且选通器双向阈值电压高度对称,开态电流达到100μA以上,泄漏电流在1 nA以下。该研究有效地优化了忆阻器的操作电压和循环次数。