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金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究 被引量:5
1
作者 杨晟 夏冬林 +1 位作者 徐慢 赵修建 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期7-9,共3页
采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程。实验结果表明,铝... 采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程。实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1 h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。 展开更多
关键词 铝诱导 低温晶化 硅薄膜 硅薄膜
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铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究 被引量:3
2
作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期447-448,共2页
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了... 介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。 展开更多
关键词 金属诱导 硅薄膜 低温晶化 硅薄膜 结构 铝诱导
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微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究 被引量:2
3
作者 饶瑞 徐重阳 +1 位作者 孙国才 曾祥斌 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-55,共3页
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄... 多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺 :微波退火非晶硅薄膜固相晶化法 ,利用 X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响 。 展开更多
关键词 微波退火 低温晶化 硅薄膜 硅薄膜
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a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究 被引量:2
4
作者 王瑞春 杜丕一 +4 位作者 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期234-238,共5页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a 展开更多
关键词 a-Si:H/Al/a-Si:H三层复合膜 低温晶化 铝诱导 真空热蒸发 半导体薄膜 PECVD
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低温晶化温度对B-ZSM-5及Ti-ZSM-5物理化学性质的影响
5
作者 高健 刘民 +2 位作者 郭新闻 王祥生 熊光 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第11期2243-2248,共6页
采用变温晶化方法,通过改变低温段晶化温度,水热合成B-ZSM-5沸石.以B-ZSM-5沸石为母体,经脱硼处理后,与TiCl4进行气固相取代反应制得Ti-ZSM-5样品.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-V... 采用变温晶化方法,通过改变低温段晶化温度,水热合成B-ZSM-5沸石.以B-ZSM-5沸石为母体,经脱硼处理后,与TiCl4进行气固相取代反应制得Ti-ZSM-5样品.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-Vis)光谱、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、拉曼光谱、N2吸附-脱附及1,2,4-三甲苯物理吸附等手段对其进行了表征,并考察了Ti-ZSM-5样品在苯酚羟基化反应中的性能.结果表明,合成的母体均为长方体颗粒的聚集体且具有完整的MFI拓扑结构,但其聚集体颗粒大小、载钛量、孔容及比表面积却存在明显差异;低温晶化最佳温度为333-353K,以此条件下合成出以B-ZSM-5为母体制得的Ti-ZSM-5具有更小的颗粒尺寸、较大的孔容及比表面积,在苯酚羟基化反应中表现出更加优异的催化性能.在苯酚与过氧化氢的摩尔比为3的条件下,苯酚转化率最高可达到20.5%. 展开更多
关键词 TI-ZSM-5 低温晶化 气固相同取代 苯酚羟基
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金属诱导非晶硅薄膜低温晶化
6
作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 曾祥斌 王长安 周雪梅 赵伯芳 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第4期24-25,共2页
介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 。
关键词 金属诱导 硅薄膜 低温晶化
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低温晶化处理对TiO_2纳米管阵列形貌、结构及光电化学性能的影响 被引量:2
7
作者 曾小飞 陶海军 +2 位作者 陈善龙 沈一洲 陶杰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期357-361,376,共6页
本文通过对所制备的非晶态阳极氧化TiO2纳米管阵列进行水泡、水热以及蒸气热等低温晶化处理,系统考察了低温晶化过程对纳米管阵列形貌、微结构及其模拟太阳光下光电化学性能的影响。研究结果表明:蒸气热处理可促进TiO2纳米管阵列的晶化... 本文通过对所制备的非晶态阳极氧化TiO2纳米管阵列进行水泡、水热以及蒸气热等低温晶化处理,系统考察了低温晶化过程对纳米管阵列形貌、微结构及其模拟太阳光下光电化学性能的影响。研究结果表明:蒸气热处理可促进TiO2纳米管阵列的晶化并保留其管状的形貌特征,最终获得最佳的光电化学性能;水热处理可获得锐钛矿相TiO2,但会使管结构转变为颗粒;水泡处理受水在纳米尺度的管中流动行为的影响,导致管阵列只有管口部分晶化。 展开更多
关键词 阳极氧 TIO2纳米管阵列 低温晶化处理 光电学性能
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非晶锗的低温晶化和光学特性研究(英文) 被引量:2
8
作者 宣艳 杨宇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期880-883,共4页
本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(3... 本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化。这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品。光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm。发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著。 展开更多
关键词 溅射功率 低温晶化
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低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的低温纳米晶化 被引量:13
9
作者 晁月盛 张艳辉 +2 位作者 郭红 张莉 王兴刚 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期231-234,共4页
对Fe_(78)Si_98_(13)非晶进行了低频磁脉冲处理(场强0.01—0.04 T,频率20—40 Hz,作用时间60—300 s),以红外非接触测温仪测量处理过程的试样温升,用M(?)ssbauer谱、透射电镜观察试样的微结构变化.研究表明,在磁脉冲作用下,非晶合金... 对Fe_(78)Si_98_(13)非晶进行了低频磁脉冲处理(场强0.01—0.04 T,频率20—40 Hz,作用时间60—300 s),以红外非接触测温仪测量处理过程的试样温升,用M(?)ssbauer谱、透射电镜观察试样的微结构变化.研究表明,在磁脉冲作用下,非晶合金发生了低温纳米晶化(温升△T=7℃),晶化相α-Fe(Si)的晶粒尺寸约10 nm.析出量2.18%—9.43%;所形成的双相纳米合金对应的平均超精细磁场较非晶的原始制备态明显增加. 展开更多
关键词 Fe78Si9B13非 低频磁脉冲处理 低温纳米 超精细磁场
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低频脉冲磁场处理非晶合金Fe78Si9B13低温纳米晶化的穆斯堡尔谱研究 被引量:3
10
作者 周迎春 晁月盛 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期847-850,共4页
用低频脉冲磁场处理非晶Fe78Si9B13合金,处理过程中的温升用LRSC型红外非接触测温仪测量,处理前后的试样用Mossbauer谱结合透射电镜进行了微结构分析。结果表明,在低频脉冲磁场处理下,非晶Fe78Si9B13合金在低温下即发生了纳米晶化... 用低频脉冲磁场处理非晶Fe78Si9B13合金,处理过程中的温升用LRSC型红外非接触测温仪测量,处理前后的试样用Mossbauer谱结合透射电镜进行了微结构分析。结果表明,在低频脉冲磁场处理下,非晶Fe78Si9B13合金在低温下即发生了纳米晶化,试样温升小于7℃时,晶化析出相为体心立方α-Fe(Si),析出量介于2.18%-9.43%之间,晶粒尺寸约10nm,且所形成的非晶/纳米晶双相纳米合金的平均超精细磁场较原始非晶合金的均有所增强。 展开更多
关键词 Fe78Si9B13合金 低频脉冲磁场 低温纳米 超精细磁场
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微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管 被引量:3
11
作者 饶瑞 徐重阳 +1 位作者 孙国才 曾祥斌 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期299-301,共3页
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (小于 60 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章利用微波加热技术 ,采用非晶硅... 多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (小于 60 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章利用微波加热技术 ,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管 ,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。 展开更多
关键词 微波退火 低温晶化 硅薄膜体管
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纳米硅铝介孔分子筛的合成及其催化裂化性能 被引量:9
12
作者 师希娥 翟尚儒 +5 位作者 戴立益 单永奎 何鸣元 魏伟 吴东 孙予罕 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期265-270,共6页
采用低温晶化法一步合成了纳米硅铝介孔分子筛(记为Z-1),并通过XRD、BET、N2吸/脱附曲线和TEM等手段对其结构性质进行了表征.结果表明:所合成的分子筛具有类似MCM-41的六方结构,较好的介孔特征,孔分布狭窄,纳米级晶粒(40~50nm).用氨气... 采用低温晶化法一步合成了纳米硅铝介孔分子筛(记为Z-1),并通过XRD、BET、N2吸/脱附曲线和TEM等手段对其结构性质进行了表征.结果表明:所合成的分子筛具有类似MCM-41的六方结构,较好的介孔特征,孔分布狭窄,纳米级晶粒(40~50nm).用氨气程序升温脱附(NH3-TPD)法测试了其酸强度;并采用脉冲法,以异丙苯和1,3,5-三异丙苯的催化裂化为探针反应,考察了该分子筛的催化裂化性能和水热稳定性.Z-1与后嫁接法制得的AlMCM-41相比,呈现出较高的催化活性、选择性和蒸气稳定性. 展开更多
关键词 纳米硅铝介孔分子筛 合成 性能 低温晶化 水热稳定性 工业催
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微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究 被引量:3
13
作者 饶瑞 徐重阳 +3 位作者 曾祥斌 王长安 赵伯芳 周雪梅 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期229-231,共3页
为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。... 为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。 展开更多
关键词 微波退火 低温晶化 硅薄膜 电阻率
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金属诱导法制备多晶硅薄膜的研究进展 被引量:8
14
作者 蔡捷宏 姚若河 +2 位作者 陈明鑫 许佳雄 陈岳政 《轻金属》 CSCD 北大核心 2006年第11期48-50,共3页
多晶硅薄膜材料已广泛应用于太阳能电池和集成电路制造等领域。本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的... 多晶硅薄膜材料已广泛应用于太阳能电池和集成电路制造等领域。本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展。 展开更多
关键词 硅薄膜 金属诱导 低温晶化
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Fenton试剂作为·OH引发剂的超细纳米ZSM-5分子筛的合成及其催化MTG反应性能
15
作者 冯超群 苏晓芳 +3 位作者 肖林飞 王巍 孟锦滢 吴伟 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2022年第1期78-88,F0003,共12页
通过向合成ZSM-5分子筛的初始凝胶中加入Fenton试剂作为羟基自由基(·OH)引发剂,在90℃下合成了系列不同晶化时间的超细纳米ZSM-5分子筛(NZ5-Fx)。作为对比,采用传统模板法在170℃下晶化合成了纳米ZSM-5分子筛(NZ5-T)。采用XRD、SEM... 通过向合成ZSM-5分子筛的初始凝胶中加入Fenton试剂作为羟基自由基(·OH)引发剂,在90℃下合成了系列不同晶化时间的超细纳米ZSM-5分子筛(NZ5-Fx)。作为对比,采用传统模板法在170℃下晶化合成了纳米ZSM-5分子筛(NZ5-T)。采用XRD、SEM、TEM、N_(2)物理吸附、^(29)Si MAS NMR、^(27)Al MAS NMR、EPR、NH_(3)-TPD和Py-IR等方法对分子筛进行了表征,并研究了·OH的引入对所合成的NZ5-Fx系列ZSM-5分子筛的物化性质及甲醇制汽油(MTG)催化反应性能的影响。结果表明,与样品NZ5-T相比,·OH促进下低温合成的NZ5-Fx系列ZSM-5分子筛具有更小的晶粒尺寸、更大的介孔孔容,位于孔道交叉处的骨架Al原子所占的比例更高,而且具有更加温和的酸性,在催化MTG反应中表现出更异优的催化性能。以纳米ZSM-5分子筛样品NZ5-F12d为MTG反应的催化剂,甲醇转化率为96.2%时,汽油的选择性高达66.5%。 展开更多
关键词 超细纳米ZSM-5分子筛 FENTON试剂 低温晶化 羟基自由基 甲醇制汽油
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SAPO-56分子筛的合成及其催化甲醇制烯烃反应性能
16
作者 杜以村 赵昱 刘红星 《化学反应工程与工艺》 CAS 北大核心 2020年第5期436-441,共6页
采用低温-高温两段水热晶化法,并以N,N,N′,N′-四甲基-1,6-己二胺(TMHD)为结构导向剂,合成SAPO-56分子筛。考察了不同硅铝比对分子筛合成的影响,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、N2吸附-脱附以及NH3程序升温脱附(NH3-TPD)等方法... 采用低温-高温两段水热晶化法,并以N,N,N′,N′-四甲基-1,6-己二胺(TMHD)为结构导向剂,合成SAPO-56分子筛。考察了不同硅铝比对分子筛合成的影响,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、N2吸附-脱附以及NH3程序升温脱附(NH3-TPD)等方法对分子筛的物化性能进行了表征。在固定床反应器中考察了分子筛样品的甲醇转化制低碳烯烃(MTO)催化性能。结果表明:随着硅铝比的增加,样品的形貌发生了较大变化,其中S_(i)O2和Al_(2)O_(3)物质的量之比(S_(i)O2/Al_(2)O_(3))为0.4时,形貌呈现新型夹心式层状结构,同时表面酸性随硅铝比增加而增强;低碳烯烃选择性随着硅铝比的增加先增加后降低,当S_(i)O2/Al_(2)O_(3)为0.4时,具有较高的烯烃选择性。 展开更多
关键词 SAPO-56 分子筛 低温-高温分段 AFX 结构 甲醇制烯烃
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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 被引量:21
17
作者 林揆训 林璇英 +3 位作者 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期863-866,共4页
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶... 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm . 展开更多
关键词 固相 硅薄膜 硅薄膜 低温快速 结构分析
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高探测优值钙钛矿结构热释电薄膜研究进展
18
作者 迟庆国 张昌海 +1 位作者 崔洋 刘刚 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期1-5,共5页
为了获得优异性能的热释电薄膜材料,详细论述了热释电薄膜探测优值的提高途径和影响因素.研究重点在提高薄膜热释电系数(新材料体系的开发及原有材料的掺杂改性)以及降低薄膜的介电常数(多孔/多层薄膜结构设计).但单纯热释电系数的提高... 为了获得优异性能的热释电薄膜材料,详细论述了热释电薄膜探测优值的提高途径和影响因素.研究重点在提高薄膜热释电系数(新材料体系的开发及原有材料的掺杂改性)以及降低薄膜的介电常数(多孔/多层薄膜结构设计).但单纯热释电系数的提高对于提高探测优值作用有限;而设计多孔/多层结构会造成薄膜质量劣化,增大漏电流密度.因此作者结合多孔薄膜和多层薄膜的各自优点,利用界面优化调谐的作用,在低结晶温度下,设计和制备出双层致密薄膜包夹多孔薄膜的复合结构薄膜.由此给出一种提高热释电薄膜探测优值的有效途径,同时复合结构薄膜体系的低温结晶对热释电薄膜在硅基电路上实现单片集成化具有重要价值. 展开更多
关键词 热释电薄膜 探测优值 复合结构 界面优 低温晶化
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电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用 被引量:2
19
作者 刘学丽 黄延伟 +2 位作者 李向明 席俊华 季振国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第B08期39-42,共4页
采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征。进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化。XRD测试、电学性能测试以及可见... 采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征。进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化。XRD测试、电学性能测试以及可见-红外光谱透射率测试结果表明,硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si(111)的衍射峰,薄膜的导电性得到了提高,且具有较强的红外反射能力,表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值。同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass/Si/Ag/Si的Ag基低辐射玻璃,通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用。 展开更多
关键词 电子束蒸发 重掺硅薄膜 低辐射玻璃 硅保护层 铝诱导低温晶化
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Grain refinement of as-cast superalloy IN718 under action of low voltage pulsed magnetic field 被引量:13
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作者 李应举 马晓平 杨院生 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期1277-1282,共6页
The grain refinement of superalloy IN718 under the action of low voltage pulsed magnetic field was investigated. The experimental results show that fine equiaxed grains are acquired under the action of low voltage pul... The grain refinement of superalloy IN718 under the action of low voltage pulsed magnetic field was investigated. The experimental results show that fine equiaxed grains are acquired under the action of low voltage pulsed magnetic field. The refinement effect of the pulsed magnetic field is affected by the melt cooling rate and superheating. The decrease of cooling rate and superheating enhance the refinement effect of the low voltage pulsed magnetic field. The magnetic force and the melt flow during solidification are modeled and simulated to reveal the grain refinement mechanism. It is considered that the melt convection caused by the pulsed magnetic field, as well as cooling rate and superheating contributes to the refinement of solidified grains. 展开更多
关键词 SUPERALLOY grain refinement low voltage pulsed magnetic field cooling rate SUPERHEATING
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