金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火,成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法,研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程。实验结果表明,铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1 h晶化为较好的多晶硅薄膜,而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。

微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺 :微波退火非晶硅薄膜固相晶化法 ,利用 X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响 。

a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究

采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a

低温晶化温度对B-ZSM-5及Ti-ZSM-5物理化学性质的影响

采用变温晶化方法,通过改变低温段晶化温度,水热合成B-ZSM-5沸石.以B-ZSM-5沸石为母体,经脱硼处理后,与TiCl4进行气固相取代反应制得Ti-ZSM-5样品.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-Vis)光谱、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、拉曼光谱、N2吸附-脱附及1,2,4-三甲苯物理吸附等手段对其进行了表征,并考察了Ti-ZSM-5样品在苯酚羟基化反应中的性能.结果表明,合成的母体均为长方体颗粒的聚集体且具有完整的MFI拓扑结构,但其聚集体颗粒大小、载钛量、孔容及比表面积却存在明显差异;低温晶化最佳温度为333-353K,以此条件下合成出以B-ZSM-5为母体制得的Ti-ZSM-5具有更小的颗粒尺寸、较大的孔容及比表面积,在苯酚羟基化反应中表现出更加优异的催化性能.在苯酚与过氧化氢的摩尔比为3的条件下,苯酚转化率最高可达到20.5%.

金属诱导非晶硅薄膜低温晶化

介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 。

低温晶化处理对TiO_2纳米管阵列形貌、结构及光电化学性能的影响

本文通过对所制备的非晶态阳极氧化TiO2纳米管阵列进行水泡、水热以及蒸气热等低温晶化处理,系统考察了低温晶化过程对纳米管阵列形貌、微结构及其模拟太阳光下光电化学性能的影响。研究结果表明:蒸气热处理可促进TiO2纳米管阵列的晶化并保留其管状的形貌特征,最终获得最佳的光电化学性能;水热处理可获得锐钛矿相TiO2,但会使管结构转变为颗粒;水泡处理受水在纳米尺度的管中流动行为的影响,导致管阵列只有管口部分晶化。

非晶锗的低温晶化和光学特性研究(英文)

本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化。这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品。光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm。发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著。

低频磁脉冲处理Fe_(78)Si_9B_(13)非晶合金的低温纳米晶化

对Fe_(78)Si_98_(13)非晶进行了低频磁脉冲处理(场强0．01—0．04 T,频率20—40 Hz,作用时间60—300 s),以红外非接触测温仪测量处理过程的试样温升,用M(?)ssbauer谱、透射电镜观察试样的微结构变化．研究表明,在磁脉冲作用下,非晶合金发生了低温纳米晶化(温升△T=7℃),晶化相α-Fe(Si)的晶粒尺寸约10 nm．析出量2．18%—9．43%;所形成的双相纳米合金对应的平均超精细磁场较非晶的原始制备态明显增加．

低频脉冲磁场处理非晶合金Fe78Si9B13低温纳米晶化的穆斯堡尔谱研究

用低频脉冲磁场处理非晶Fe78Si9B13合金，处理过程中的温升用LRSC型红外非接触测温仪测量，处理前后的试样用Mossbauer谱结合透射电镜进行了微结构分析。结果表明，在低频脉冲磁场处理下，非晶Fe78Si9B13合金在低温下即发生了纳米晶化，试样温升小于7℃时，晶化析出相为体心立方α-Fe（Si），析出量介于2．18％-9．43％之间，晶粒尺寸约10nm，且所形成的非晶／纳米晶双相纳米合金的平均超精细磁场较原始非晶合金的均有所增强。

微波退火法低温制备多晶硅薄膜晶体管

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (小于 60 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章利用微波加热技术 ,采用非晶硅薄膜微波退火固相晶化法低温制备出多晶硅薄膜晶体管 ,研究了微波退火工艺对多晶硅薄膜晶体管电学性能的影响。

纳米硅铝介孔分子筛的合成及其催化裂化性能

采用低温晶化法一步合成了纳米硅铝介孔分子筛(记为Z-1),并通过XRD、BET、N2吸/脱附曲线和TEM等手段对其结构性质进行了表征.结果表明:所合成的分子筛具有类似MCM-41的六方结构,较好的介孔特征,孔分布狭窄,纳米级晶粒(40～50nm).用氨气程序升温脱附(NH3-TPD)法测试了其酸强度;并采用脉冲法,以异丙苯和1,3,5-三异丙苯的催化裂化为探针反应,考察了该分子筛的催化裂化性能和水热稳定性.Z-1与后嫁接法制得的AlMCM-41相比,呈现出较高的催化活性、选择性和蒸气稳定性.

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。

金属诱导法制备多晶硅薄膜的研究进展

多晶硅薄膜材料已广泛应用于太阳能电池和集成电路制造等领域。本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展。

Fenton试剂作为·OH引发剂的超细纳米ZSM-5分子筛的合成及其催化MTG反应性能

通过向合成ZSM-5分子筛的初始凝胶中加入Fenton试剂作为羟基自由基(·OH)引发剂,在90℃下合成了系列不同晶化时间的超细纳米ZSM-5分子筛(NZ5-Fx)。作为对比,采用传统模板法在170℃下晶化合成了纳米ZSM-5分子筛(NZ5-T)。采用XRD、SEM、TEM、N_(2)物理吸附、^(29)Si MAS NMR、^(27)Al MAS NMR、EPR、NH_(3)-TPD和Py-IR等方法对分子筛进行了表征,并研究了·OH的引入对所合成的NZ5-Fx系列ZSM-5分子筛的物化性质及甲醇制汽油(MTG)催化反应性能的影响。结果表明,与样品NZ5-T相比,·OH促进下低温合成的NZ5-Fx系列ZSM-5分子筛具有更小的晶粒尺寸、更大的介孔孔容,位于孔道交叉处的骨架Al原子所占的比例更高,而且具有更加温和的酸性,在催化MTG反应中表现出更异优的催化性能。以纳米ZSM-5分子筛样品NZ5-F12d为MTG反应的催化剂,甲醇转化率为96.2%时,汽油的选择性高达66.5%。

SAPO-56分子筛的合成及其催化甲醇制烯烃反应性能

采用低温-高温两段水热晶化法,并以N,N,N′,N′-四甲基-1,6-己二胺(TMHD)为结构导向剂,合成SAPO-56分子筛。考察了不同硅铝比对分子筛合成的影响,并采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、N2吸附-脱附以及NH3程序升温脱附(NH3-TPD)等方法对分子筛的物化性能进行了表征。在固定床反应器中考察了分子筛样品的甲醇转化制低碳烯烃(MTO)催化性能。结果表明:随着硅铝比的增加,样品的形貌发生了较大变化,其中S_(i)O2和Al_(2)O_(3)物质的量之比(S_(i)O2/Al_(2)O_(3))为0.4时,形貌呈现新型夹心式层状结构,同时表面酸性随硅铝比增加而增强;低碳烯烃选择性随着硅铝比的增加先增加后降低,当S_(i)O2/Al_(2)O_(3)为0.4时,具有较高的烯烃选择性。

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm .

高探测优值钙钛矿结构热释电薄膜研究进展

为了获得优异性能的热释电薄膜材料,详细论述了热释电薄膜探测优值的提高途径和影响因素.研究重点在提高薄膜热释电系数(新材料体系的开发及原有材料的掺杂改性)以及降低薄膜的介电常数(多孔/多层薄膜结构设计).但单纯热释电系数的提高对于提高探测优值作用有限;而设计多孔/多层结构会造成薄膜质量劣化,增大漏电流密度.因此作者结合多孔薄膜和多层薄膜的各自优点,利用界面优化调谐的作用,在低结晶温度下,设计和制备出双层致密薄膜包夹多孔薄膜的复合结构薄膜.由此给出一种提高热释电薄膜探测优值的有效途径,同时复合结构薄膜体系的低温结晶对热释电薄膜在硅基电路上实现单片集成化具有重要价值.

电子束蒸发沉积重掺硅薄膜及其在低辐射玻璃上的应用

采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征。进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化。XRD测试、电学性能测试以及可见-红外光谱透射率测试结果表明,硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si(111)的衍射峰,薄膜的导电性得到了提高,且具有较强的红外反射能力,表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值。同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass/Si/Ag/Si的Ag基低辐射玻璃,通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用。

半导体材料

Y2000-62028-185 0017893芯片封装的集成制造法=An integrated manufacturingapproach to chip packaging[会,英]/Pharand,S.//1999IEEE 49th Electronic Components and Technology Con-ference.—185～187(PC)Y2000-62351-47 0017894Ⅲ-Ⅴ族半导体工艺用的低温生长 GaAs 缓冲层=Lowtemperature(LT) grown GaAs buffer layers for Ⅲ-Ⅴsemiconductor processes[会,英]/Weatherford,T.R.//1999 IEEE GaAs IC Symposium.—47～50(PC)