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通用工艺与设备
1
《电子科技文摘》
2006年第4期32-33,共1页
关键词
低温晶片键合
键
合
技术
会议录
会议资料
GAAS
原文传递
半导体技术
2
《中国无线电电子学文摘》
2006年第6期47-67,共21页
关键词
半导体技术
半导体学报
电子技术
量子阱
AlGaN
位错腐蚀坑
迁移率模型
上海技术物理研究所
MOCVD
空穴缓冲层
低温晶片键合
干法刻蚀
测量结果
电流崩塌效应
量子点激光器
微电子学
SOI
TN
应变层超
晶
格
原文传递
磁性材料、超导材料和器件
3
《中国无线电电子学文摘》
2006年第4期15-19,共5页
关键词
薄膜材料
中国科学院上海光学精密机械研究所
锰锌铁氧体材料
磁性材料
电工材料
激光损伤阈值
等效折射率
陶瓷样品
渐变折射率薄膜
高磁导率
缺陷模
低温晶片键合
超导材料
金属材料
器件
TiO
压电性能
键
合
界面
形核场
原文传递
题名
通用工艺与设备
1
出处
《电子科技文摘》
2006年第4期32-33,共1页
关键词
低温晶片键合
键
合
技术
会议录
会议资料
GAAS
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
半导体技术
2
出处
《中国无线电电子学文摘》
2006年第6期47-67,共21页
关键词
半导体技术
半导体学报
电子技术
量子阱
AlGaN
位错腐蚀坑
迁移率模型
上海技术物理研究所
MOCVD
空穴缓冲层
低温晶片键合
干法刻蚀
测量结果
电流崩塌效应
量子点激光器
微电子学
SOI
TN
应变层超
晶
格
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
磁性材料、超导材料和器件
3
出处
《中国无线电电子学文摘》
2006年第4期15-19,共5页
关键词
薄膜材料
中国科学院上海光学精密机械研究所
锰锌铁氧体材料
磁性材料
电工材料
激光损伤阈值
等效折射率
陶瓷样品
渐变折射率薄膜
高磁导率
缺陷模
低温晶片键合
超导材料
金属材料
器件
TiO
压电性能
键
合
界面
形核场
分类号
TN11 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
通用工艺与设备
《电子科技文摘》
2006
0
原文传递
2
半导体技术
《中国无线电电子学文摘》
2006
0
原文传递
3
磁性材料、超导材料和器件
《中国无线电电子学文摘》
2006
0
原文传递
已选择
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