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蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长
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作者 赵红 邹泽亚 +6 位作者 赵文伯 杨晓波 刘挺 廖秀英 王振 周勇 刘万清 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期800-803,共4页
采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103P... 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。 展开更多
关键词 MOCVD ALGAN 低温核化层
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