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低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性 被引量：6
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作者 陈华杰 张甫龙 +5 位作者 范洪雷 阵溪滢 黄大鸣 俞鸣人 侯晓远 李谷波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期297-303,共7页
用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高... 用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因. 展开更多
关键词 氧化 多孔硅 发光稳定性 低温湿氧
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