溶胶-凝胶法制备ZnO-B_2O_3-SiO_2系低温玻璃料

以Zn(CH3COO)2·2H2O、Si(OC2H5)4、H3BO3为原料,采用溶胶-凝胶法首先制备出ZnO-B_2O_3-SiO_2凝胶,再经一定的热处理制度对凝胶进行热处理,制备出ZnO-B_2O_3-SiO_2微晶玻璃料。通过TG-DSC、FTIR、XRD现代测试手段对干凝胶以及热处理产物进行了表征。结果表明:干凝胶在684℃时可析出晶粒,在730℃温度下已经能够形成稳定的Zn2Si O4和少量鳞石英SiO_2晶相,晶粒尺寸细小为39.0 nm,随着热处理温度的升高,析出晶相种类没有变化,晶粒粒径明显的增大。

芯片贴装用银浆料的热物理与力学性能

针对集成电路半导体芯片贴装,替代金-硅共熔焊或导电胶类粘结剂,研制了一种由银粉、玻璃粉和有机载体组成的低温烧结型银基浆料,其烧结温度峰值为430℃。研究了浆料的成分配比、工艺及其芯片贴装烧结工艺对浆料烧结体的微观组织、αL、λ、芯片组装的剪切力和热循环对芯片剪切力的影响规律。结果表明,当ζ(银粉:玻璃粉)=7:3,ζ(固体混合粉末:有机载体)=8:2时,芯片贴装后的综合性能最佳,冷热循环500次后其剪切力仅下降15%。