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等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点及性能分析
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作者 任想想 《模具制造》 2024年第7期150-152,共3页
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给... 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是一种重要的表面涂覆技术,可用于制备薄膜材料。对此,需要研究并分析等离子体增强化学气相沉积设备的技术要点和性能,介绍PECVD设备的基本构成和工作原理,研究PECVD设备的关键技术要点。其中,气体供给系统的精确控制是实现均匀沉积薄膜的关键。为了提高沉积速率和薄膜质量,需优化反应室的设计以确保等离子体的均匀分布和稳定性。此外,射频电源的功率和频率的选择也对薄膜质量有重要影响。实践证明,通过研究技术要点和性能分析,可进一步优化设备参数,提高薄膜质量和沉积效率,为相关领域研究提供有力支持。 展开更多
关键词 等离子 化学积设备 技术要点 性能分析
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低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管 被引量:3
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作者 李社强 江南 王太宏 《真空》 CAS 北大核心 2004年第4期40-46,共7页
由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质量碳纳米管的生长要求 80 0℃以上的基片温度 ,若能使该温度降到4 0 0℃以下 ,则对许多应用非常有利 ,如... 由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质量碳纳米管的生长要求 80 0℃以上的基片温度 ,若能使该温度降到4 0 0℃以下 ,则对许多应用非常有利 ,如可以在玻璃基片上沉积碳纳米管场发射电极。目前 ,碳纳米管基纳电子器件的研制这一课题备受关注 ,如果能实现低温原位制备碳纳米管 ,则可能将纳电子器件与传统的微电子加工工艺结合并实现超大容量的超大规模集成电路。本文主要介绍近年来生长碳纳米管所采用的各种等离子体化学气相沉积技术 。 展开更多
关键词 等离子体增强化学 PECVD 制备 碳纳米管 低温生长
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
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作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子 化学 低温合成 孔性氧化铝模板
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子化学积法 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
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作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子 化学积法 低温合成 结构表征
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等离子体增强化学气相沉积技术制备锗反蛋白石三维光子晶体(英文) 被引量:2
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作者 李宇杰 谢凯 +3 位作者 张良静 许静 韩喻 李运鹏 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1315-1318,共4页
采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石... 采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石的形貌、成分、结构进行了表征。结果表明:锗在SiO2微球空隙内填充均匀,得到的锗为多晶态。锗反蛋白石光子晶体为三维有序多孔结构。等离子体增强化学气相沉积的潜在优势在于可实现材料的低温填充,从而以高分子材料为模板进行复型,得到多种结构的三维光子晶体。 展开更多
关键词 光子晶体 锗反蛋白石 等离子增强化学 溶剂蒸发对流自组装 低温填充
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术 被引量:1
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第2期86-88,共3页
(接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置... (接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置示意图。 展开更多
关键词 反应物质 辉光放电 低温等离子 化学活性 化学 真空环境 化学反应 示意图
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用于模具行业的等离子体辅助化学气相沉积薄膜强化技术与应用
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作者 徐可为 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期4-5,共2页
探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明... 探索将气相沉积氮化钛技术用于工模具和精密零部件的表面力化学强化和功能优化已有近30年的历史。2000年美国金 属学会将唯一一项工程材料成就奖授予Moen公司,以表彰其卓有成效地将氮化钛基镀膜技术应用于工业和民用领域。这一事实表明,气相沉积表面陶瓷化技术在当今科技界具有领先的技术优势,其在工业界所产生的经济效益和行业引领作用将成为其未来技术评估的重点。 目前氮化钛镀膜技术已在国际刀具领域形成工业化生产。基本公认的事实是,离子镀用于高速钢刀具效果最好。 展开更多
关键词 模具 氮化钛薄膜 等离子体辅助化学 表面强化技术
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多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺
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作者 邓婉婷 吴爱民 +3 位作者 张广英 秦富文 董闯 姜辛 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期436-440,共5页
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)... 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向. 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强化学 多晶硅薄膜 低温生长
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微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 被引量:2
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作者 左潇 魏钰 +2 位作者 陈龙威 舒兴胜 孟月东 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-361,共6页
利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件... 利用微波电子回旋共振等离子体增强型化学气相沉积(ECR-PECVD)采用一步法直接在K9玻璃上低温沉积制备了多晶硅薄膜。研究了不同实验参数对薄膜沉积的影响,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)等实验分析方法对不同条件下制备的样品进行了晶体结构和表面形貌分析,并讨论了多晶硅薄膜沉积的最佳条件。实验结果表明,玻璃衬底上多晶硅薄膜呈柱状生长,并有一定厚度的非晶孵化层;较高氢气比例和衬底温度有利于结晶,薄膜的结晶率达到了62%;晶粒团簇的最大尺寸约为500nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强型化学 低温 直接制备 多晶硅薄膜
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石墨烯的等离子体增强化学气相沉积法合成 被引量:5
11
作者 姚涵 何叶丽 陈育明 《印染》 北大核心 2018年第5期12-17,共6页
石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料。采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550℃的反应温度下... 石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料。采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550℃的反应温度下,较短的反应时间内,在铜箔衬底上制备出石墨烯薄膜。考察了甲烷和氢气流量比、氩气的作用以及衬底通电与否等因素对石墨烯生长的影响。研究发现,在甲烷与氢气流量比为1∶1,通入氩气,不给铜箔衬底通电的试验条件下,制备出的石墨烯薄膜电阻值为4.15 kΩ,显示出较好的光电特性。 展开更多
关键词 石墨烯 等离子 化学 低温 光电特性
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气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评 被引量:13
12
作者 马胜利 徐可为 介万奇 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期438-443,共6页
本文对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评 ,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积 (PCVD)的优势。
关键词 制备 技术 硬质薄膜 PCVD 等离子体辅助化学
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺 被引量:3
13
《中国集成电路》 2007年第2期65-67,61,共4页
随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制... 随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显著减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow—Trench—Isolation),金属前绝缘层(Pre—Met—al—Dielectric),金属层间绝缘层(Inter—Metal—Dielec—tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 展开更多
关键词 等离子化学淀积 制造工艺 高密度 超大规模集成电路 Metal 半导体技术 晶体管数量 半导体器件
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低温等离子体改性技术制备功能材料的研究进展 被引量:3
14
作者 吴建飞 袁红梅 +3 位作者 夏林敏 赵红艳 林金国 李吉庆 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期220-228,共9页
低温等离子体改性技术是一种常用的材料改性手段,它是通过电离气体产生大量的带能粒子和各种形式的光辐射作用于材料表面,从而提高材料的疏水性、阻燃性和抗菌性等性能,达到制备具有一种或多种特定功能材料的目的。低温等离子体改性技... 低温等离子体改性技术是一种常用的材料改性手段,它是通过电离气体产生大量的带能粒子和各种形式的光辐射作用于材料表面,从而提高材料的疏水性、阻燃性和抗菌性等性能,达到制备具有一种或多种特定功能材料的目的。低温等离子体改性技术在材料改性中备受青睐得益于四大优势:(1)反应环境所需温度低;(2)处理效率高;(3)适用范围广;(4)不会破坏材料本身的性质。近年来,低温等离子体改性技术在生物质材料、高分子材料、金属材料等领域都有广泛的应用,其在生物质材料领域的研究尤为活跃,经低温等离子体表面处理制备的超疏水性、阻燃性等功能材料被大量报道。在高分子材料领域,低温等离子体改性法常被用于制备超疏水性塑料薄膜材料、医用抗菌性口罩、防污无纺布等。通过低温等离子体化学气相沉积法沉积后的金属具有耐腐蚀、耐磨的作用。此外,低温等离子体改性技术还在三废处理、半导体材料、电子产品、电子电路、超导材料等领域获得丰硕的研究成果。一直以来科学家对低温等离子体改性技术的应用研究远多于机理研究,这限制了其在材料改性中的发展,然而,研究低温等离子体对不同材料的作用机理对于制备所需功能材料具有指导性意义。实际上,等离子体在材料表面会发生解吸、掺杂、刻蚀、溅射和交联、表面接枝、界面聚合等一系列的物理化学反应,具体发生了何种反应与等离子体种类、材料类型、放电方式、工艺参数等密切相关。根据不同的作用机理对低温等离子体改性技术进行归类,有利于精准制备所需的功能材料。本文综述了三种不同的低温等离子体改性方法:(1)低温等离子体表面处理法;(2)低温等离子体化学气相沉积法;(3)低温等离子体接枝聚合法。结合不同材料的性质和不同的改性机理,概述了低温等离子体改性技术在超疏水性、阻燃性和抗菌性功能材料中的应用。在分析低温等离子体改性机理的基础上,总结了如何利用不同气体类型的低温等离子体制备所需的特定功能材料,并指出用低温等离子体改性技术对材料进行改性的不足之处和发展前景。 展开更多
关键词 低温等离子体改性技术 表面处理法 接枝聚合法 化学积法 功能材料
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热化学和等离子辅助预处理与硬质PVD涂层技术的结合 被引量:3
15
作者 Wolf-DieterMünz 林松盛 代明江 《国外金属热处理》 2004年第5期24-28,32,共6页
关键词 物理 PVD 硬质涂层技术 化学预处理 等离子辅助预处理 先进制造技术
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新疆天业与清华大学开发低温等离子技术
16
《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期758-758,共1页
新疆天业集团研究院和清华大学将共同开发低温等离子气固相法氯化聚氯乙烯(CPVC)技术。新疆天业集团早在2007年就与清华大学建立合作关系,针对氯碱工艺创新技术、等离子煤制乙炔技术等展开合作,推动企业技术创新。
关键词 低温等离子技术 清华大学 新疆 开发 氯化聚氯乙烯 企业技术创新 合作关系
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《气相沉积应用技术》出版
17
《工具技术》 北大核心 2007年第1期119-119,共1页
由王福贞和马文存编著的《气相沉积应用技术》机械工业出版社出版。王福贞和马文存从事物理气相沉积、化学气相沉积、等离子体化学气相沉积极技术研究和开发有三十年左右的经历。
关键词 物理 出版社 等离子化学 技术 应用 机械工业
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应用材料公司推出先进化学气相淀积薄膜技术
18
《中国集成电路》 2012年第4期5-6,共2页
在日前举办的SEMICONChina上,应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积(PECVD)薄膜技术,用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜... 在日前举办的SEMICONChina上,应用材料公司向业界展示了全新等离子体增强化学气相淀积(PECVD)薄膜技术,用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示。这些源自应用材料公司业界领先的AKT—PECVD系统的先进绝缘薄膜,使得基于金属氧化物的晶体管的应用成为可能,制造出尺寸更小、开关速度更快的像素,从而帮助客户推出更受消费者欢迎的高分辨率显示屏。 展开更多
关键词 等离子体增强化学淀积 应用材料公司 薄膜技术 高分辨率 PECVD 金属氧化物 平板电脑 绝缘薄膜
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RF化学气相淀积金刚石薄膜
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作者 章彬 黄庆安 +1 位作者 郑其经 秦明 《电子器件》 CAS 1998年第2期74-83,共10页
本文论述了金刚石薄膜的优点,比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点,主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。
关键词 金刚石 等离子 化学淀积 半导体薄膜技术
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低温氧等离子体处理对单层石墨烯微观结构影响的研究 被引量:2
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作者 邓海君 王权 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第2期9-13,共5页
运用低温氧等离子体对化学气相沉积法生长的单层石墨烯进行处理,通过拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪来表征处理前后的变化,重点探讨了低温氧等离子体处理对单层石墨烯微观结构的影响。在拉曼光谱中,处理后的石墨烯出现了明显的D峰和D′... 运用低温氧等离子体对化学气相沉积法生长的单层石墨烯进行处理,通过拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪来表征处理前后的变化,重点探讨了低温氧等离子体处理对单层石墨烯微观结构的影响。在拉曼光谱中,处理后的石墨烯出现了明显的D峰和D′峰,同时G峰和2D峰也出现了明显的退化,而G峰峰位右移,2D峰峰位左移。通过X射线光电子能谱表征,表明处理后向石墨烯中引入了较多的官能团。利用原子力显微镜研究了处理前后SiO_2/Si基底上石墨烯的表面形貌,发现低温氧等离子体处理后石墨烯表面高度明显增加,同时褶皱减少。 展开更多
关键词 低温等离子 化学 石墨烯 拉曼光谱 XPS 原子力显微镜
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