低温钝化玻璃的研制

本文吸收日本专利文献[1]、[2]、[3]高温钝化玻璃之特长,并与普通低温玻璃[4]相结合,研制成一种新型的低温钝化玻璃。在所试验的半导体元件(如3DK50、3 CT30G等)上获得成功。国内外已有的高温钝化玻璃,仅适用于以半导元件的整体为对象(如半导体二极管的钝化、封装)的一种模型方法;而本文研制的低温钝化玻璃适用于所有半导体元件、器件的钝化、封装。

MIS/IL p-Si太阳电池的几种低温表面钝化

对P 硅基体的MOS ,MNS ,MNOS 3种钝化系统通过C V特性测试和电性能分析 ,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态 ,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS/IL p Si太阳电池 ,通过工艺优化 ,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性———超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。

克服低击穿的硅平面技术

为提高硅平面大功率管的成品率和可靠性,提出了一种刻蚀槽和低温钝化相结合的克服低击穿的硅平面枝术.采用该技术可消除绝大多数平面晶体管管芯的低击穿和穿通点,从而大幅度提高管芯、特别是大功率管管芯的合格率和高档品率.由于应用该技术可消除低击穿点及杂质淀积和缺陷集中区而使器件的固有可靠性得到提高.