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采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
被引量：
1
1
作者
雷本亮
于广辉
+2 位作者
孟胜
齐鸣
李爱珍
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期1453-1456,共4页
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(A...
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。
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关键词
GAN
氢化物气相外延(HVPE)
低温ain插入层
原文传递
题名
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
被引量：
1
1
作者
雷本亮
于广辉
孟胜
齐鸣
李爱珍
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期1453-1456,共4页
基金
国家高技术研究和发展计划资助项目(2002AA305304)
CNRS/ASC2005:Nproject18152)
+1 种基金
上海自然科学基金资助项目(05ZR14139)
国际合作基金资助项目(055207043)
文摘
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延(HVPE)设备中生长出高质量GaN膜。X射线衍射(XRD)测量发现,低温AlN插入层有助于提高GaN膜的结晶质量。低温(10K)光致发光(PL)谱测量表明,低温AlN插入层有助于释放GaN膜外延生长的应力。原子力显微镜(AFM)测量显示,GaN膜具有非常光滑的表面形貌,并估算出其位错密度约为3.3×108cm-2。
关键词
GAN
氢化物气相外延(HVPE)
低温ain插入层
Keywords
,GaN
hydride vapor phase epitaxy（HVPE）
low-temperature
ain
interlayer
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用低温AlN插入层在氢化物气相外延中生长GaN膜
雷本亮
于广辉
孟胜
齐鸣
李爱珍
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
原文传递
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