低温HiB钢点状露晶缺陷形成原因分析和工艺改进研究

对低温高磁感取向硅钢(即HiB钢)点状露晶缺陷进行了观测,通过研究缺陷微观形貌,发现底层形成的厚薄状态是导致点状露晶缺陷的主要原因。针对底层形成,找到HiB钢在退火工艺中附加氧化和内氧化层厚度两个关键影响因素;通过工艺调整,增加内氧化层厚度和加强附加氧化,有效地解决了HiB钢点状露晶缺陷的发生。

低温渗氮HiB钢的二次再结晶行为

用电子背散射衍射（EBSD）技术对含3%Si（质量分数）低温渗氮HiB钢二次再结晶时高斯晶粒的长大机制进行了研究。研究加热温度对高斯晶粒异常长大、磁感应强度和铁损的影响,分析高斯晶粒异常长大的机理。研究结果表明：1000~1050℃这一温度区间为二次再结晶的最重要温度区间,在这一温度区间下,晶界以大角度晶界为主,晶粒取向差主要分布在20°~55°之间,满足高能晶界（HE）模型的条件,由于大角度晶界的高迁移速率使得高斯晶粒迅速长大从而使磁感应强度增加最快、铁损值下降最快。