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张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性
被引量:
2
1
作者
林涛
宁少欢
+4 位作者
李晶晶
张天杰
段玉鹏
林楠
马骁宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期51-56,共6页
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:3...
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:300K时,只进行快速热退火或者N离子注入的样品不发生峰值波长蓝移,N离子注入后样品在退火时发生波长蓝移,且蓝移量随退火时间的增加而增加;低温条件时,不同样品的光致发光特性差别较大,光致发光谱既有单峰,也有双峰,分析认为双峰中的短波长发光峰为本征激子的复合,长波长发光峰是由于有序区域中的电子与无序区域中的空穴复合引起.本研究可为半导体激光器长期工作可靠性和材料低温特性的相互关系提供一种新的研究思路.
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关键词
量子阱混杂
离子注入
低温pl谱
蓝移
张应变
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职称材料
Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究
被引量:
1
2
作者
陈小庆
孙利杰
傅竹西
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期72-75,共4页
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原...
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
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关键词
Sb掺杂
低温pl谱
ZNO
A0X
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职称材料
题名
张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性
被引量:
2
1
作者
林涛
宁少欢
李晶晶
张天杰
段玉鹏
林楠
马骁宇
机构
西安理工大学电子工程系
西北大学物理学院
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第1期51-56,共6页
基金
陕西省自然科学基础研究计划(No.2017JM6042)~~
文摘
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:300K时,只进行快速热退火或者N离子注入的样品不发生峰值波长蓝移,N离子注入后样品在退火时发生波长蓝移,且蓝移量随退火时间的增加而增加;低温条件时,不同样品的光致发光特性差别较大,光致发光谱既有单峰,也有双峰,分析认为双峰中的短波长发光峰为本征激子的复合,长波长发光峰是由于有序区域中的电子与无序区域中的空穴复合引起.本研究可为半导体激光器长期工作可靠性和材料低温特性的相互关系提供一种新的研究思路.
关键词
量子阱混杂
离子注入
低温pl谱
蓝移
张应变
Keywords
Quantum well intermixing
Im
pl
antation
Low temperature photoluminescence spectra
Blue shift
Tensile strain
分类号
TN383.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究
被引量:
1
2
作者
陈小庆
孙利杰
傅竹西
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期72-75,共4页
基金
国家自然科学基金重点项目(50532070)
中国科学院三期创新方向性课题(KJCX3.5YW.W01)资助
文摘
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷.
关键词
Sb掺杂
低温pl谱
ZNO
A0X
Keywords
antimony-doped; low temperature photoluminescence; ZnO; A0X
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性
林涛
宁少欢
李晶晶
张天杰
段玉鹏
林楠
马骁宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
下载PDF
职称材料
2
Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究
陈小庆
孙利杰
傅竹西
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
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