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高性能低烧片式元件的三层镀技术
1
作者
李龙土
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期49-49,共1页
本项目由清华大学与风华高新科技集团股份有限公司共同完成,任务与目标是通过深入研究高介低烧PMN基MLCC三层镀技术与瓷料改性,实现高介低烧PMN基MLCC的片式化,使“八·五”重大成果高性能低烧MLCC进一步规模化和产业化,以获得更显...
本项目由清华大学与风华高新科技集团股份有限公司共同完成,任务与目标是通过深入研究高介低烧PMN基MLCC三层镀技术与瓷料改性,实现高介低烧PMN基MLCC的片式化,使“八·五”重大成果高性能低烧MLCC进一步规模化和产业化,以获得更显著效益。 取得的主要成果 (1)在“八五”Y5V203瓷料的基础上,与风华公司共同研制开发的可镀片式高介低烧MLCC用2FU193瓷料。
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关键词
陶瓷电容器
低烧片式元件
MLCC
三层镀技术
下载PDF
职称材料
题名
高性能低烧片式元件的三层镀技术
1
作者
李龙土
机构
清华大学材料科学与工程系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第2期49-49,共1页
文摘
本项目由清华大学与风华高新科技集团股份有限公司共同完成,任务与目标是通过深入研究高介低烧PMN基MLCC三层镀技术与瓷料改性,实现高介低烧PMN基MLCC的片式化,使“八·五”重大成果高性能低烧MLCC进一步规模化和产业化,以获得更显著效益。 取得的主要成果 (1)在“八五”Y5V203瓷料的基础上,与风华公司共同研制开发的可镀片式高介低烧MLCC用2FU193瓷料。
关键词
陶瓷电容器
低烧片式元件
MLCC
三层镀技术
分类号
TM534.105 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
高性能低烧片式元件的三层镀技术
李龙土
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001
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