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1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源 被引量:13
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作者 秦波 贾晨 +1 位作者 陈志良 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2035-2039,共5页
阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(0PA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15-100℃变化时,输出电压在351.5-352.... 阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(0PA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15-100℃变化时,输出电压在351.5-352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm。 展开更多
关键词 非线性补偿 低电压基准源 高温度稳定性
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灵活的400mV基准源
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《今日电子》 2004年第8期79-79,共1页
关键词 低电压串联基准 LT6650 缓冲放大器 性能
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A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation 被引量:8
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作者 幸新鹏 李冬梅 王志华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期24-28,共5页
A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented. Using current mode structure, the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV. Compensated through the VEB linearization technique,... A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented. Using current mode structure, the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV. Compensated through the VEB linearization technique, this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 10ppmFC from 0 to 150℃. With a 1.1V supply voltage,the supply current is 43μA and the PSRR is 55dB at DC frequency. This bandgap reference has been verified in a UMC 0.18μm mixed mode CMOS technology and occupies 0. 186mm^2 of chip area. 展开更多
关键词 CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation
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