-
题名一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源
被引量:2
- 1
-
-
作者
唐俊龙
周斌腾
谢海情
肖正
曾承伟
陈希贤
-
机构
长沙理工大学物理与电子科学学院
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期628-631,共4页
-
基金
国家科技支撑计划资助项目(2014BAH28F04)
国家自然科学基金资助项目(61404011)
+3 种基金
湖南省自然科学基金资助项目(2015JJ3001)
湖南省重点学科建设资助项目
湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目
长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室开放基金资助项目
-
文摘
利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃~100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^(-6)/℃;在3.0~5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。
-
关键词
基准电流源
低温漂
低功耗
低电源电压调整率
-
Keywords
Current reference source
Low temperature drift
Low power dissipation
Low line regulation
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源
被引量:5
- 2
-
-
作者
刘国庆
于奇
刘源
宁宁
何波
罗静芳
杨谟华
-
机构
电子科技大学
-
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期763-766,共4页
-
基金
国家自然科学基金资助项目(60072004)
-
文摘
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
-
关键词
CMOS基准电流源
负温系数电流
低温漂
低电源电压调整率
-
Keywords
CMOS current reference
Negative temperature coefficient current
Low temperature coefficient
Low line regulation
-
分类号
TN431.1
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-