一种低温漂低电源电压调整率的基准电流源

利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。

一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源

通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发，获取负温系数电压，实现负温系数电流获取新方法，发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消，从而优化电源电压调整率的新概念，提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0．35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明，在-40-85℃温度范围内，温度系数为6．9ppm／℃；3．0～3．6V电压区间，电源电压调整率系10．6ppm／V，低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA／D转换器的研究设计，并可望应用于高精度模拟／混合信号系统的开发。