功率芯片低空洞率真空共晶焊接工艺研究

在功率混合电路中,对功率芯片的组装要求热阻小和可靠性高。在这方面传统的芯片组装方法如导电银浆粘接不能满足要求。本文介绍了一种新的功率芯片组装工艺--真空共晶焊接工艺,文章选用Au80Sn20焊料对毫米波GaAs功率芯片的焊接工艺进行了较为系统深入的研究,对焊接时气体保护、焊片大小、焊接压力、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析,并实现较高的焊接质量,X射线检测结果表明,GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上。

射频功率模块低空洞真空汽相焊接技术

为获得射频功率模块的低空洞率焊接,分析了真空汽相焊接设备的设备原理、工艺参数设置、工装设计等,对射频功率模块的共晶焊接技术进行了深入研究。结果表明:真空汽相焊接工艺具有加热效率高,温度均匀性好的特点,可实现阶梯式的抽真空操作,能促进Sn63Pb37焊料在熔化时的润湿与铺展,进而实现射频功率模块的低空洞焊接。通过X-ray检测发现,射频功率模块组装件焊透率高达95%以上。

半导体功率模块芯片低空洞焊接研究

芯片的焊接技术是功率模块制造最为重要的一环,芯片低空洞率焊接对功率模块的参数性能至关重要。主要通过不同的工装夹具和焊接方法比较了两种不同焊接方案,在此基础上选用Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Sb三种不同焊片进行真空焊接,利用X-Ray衍射仪、光学显微镜等测试手段,对微观组织进行了分析,发现Ag元素对合金组织有很好的润湿性,对减少焊接层空洞有利。

糜棱岩形成过程的空洞损伤-局部低围压破碎机制

提出一个糜棱岩形成过程中变形和破碎的新机制 :空洞损伤 -局部低围压破碎机制。认为原岩在糜棱化过程中经历了两个主要阶段 ,即由流动构造运动引起韧性的空洞损伤阶段和空洞损伤所形成的多孔介质受局部低围压效应影响发生的破碎阶段。使用有限元方法结合莫尔 -库仑破碎准则对这种多孔介质进行了破碎过程的数字模拟计算 。

基于低温焊料的真空烧结工艺研究

铟铅银焊料(154℃)熔点可与铅锡焊料(183℃)拉开温度梯度,且热导率高于导电胶,可满足功率器件的散热要求,因此该焊料在组件类产品功率芯片载体装配工艺中应用广泛。传统的手工烧结方式具有熔融时间长、生产效率低、可靠性差等缺点,通过对基于铟铅银低温焊料的真空烧结工艺的助焊剂选取、焊料厚度和尺寸、工装夹具设计、真空烧结曲线调试等几个方面进行研究,最终摸索出一种适用于铟铅银低温焊料的真空烧结工艺方法。

弹载T/R组件电路板叠层组装技术

采用电路板叠层组装代替低温共烧陶瓷(LTCC)基板的方法能够大大降低T/R组件的制造成本,详细介绍了电路板叠层焊接技术在T/R组件生产中的应用,主要包括电路板清洗技术、电路板组装对位精度控制技术和大面积钎焊低空洞率控制技术,对T/R组件的生产具有一定的指导作用。