宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展

本文简要介绍了我们在宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学研究领域中取得的两大主要研究成果;第一.明确提出并实现了利用宽带Ⅱ—Ⅵ族晶体直接带跃迁来获得在室温和电场激发下自由激子发射的物理思想;第二,提出并实现了利用其超晶格的室温激子效应来实现在室温、蓝绿波段区以及具有ns和ps量级响应的光双稳的物理思想.

InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展

半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。

X射线驻波及其应用

介绍了Ｘ射线驻波的产生原理。