退卷积过程中的低能尾修正

本文详述了康普顿轮廓测量退卷积处理过程中,关于低能端谱形畸变(即低能尾)

快速NaI全身计数器γ谱全能峰形函数的探讨

采用主高斯函数加高能尾、低能尾小高斯修正项共9个参数的经验函数可较好拟合γ谱的各全能峰,给出了相应的拟合参数及分析结果。考虑到NaI全身计数器要求γ谱分析快速可靠,在保证一定的准确度情况下,对该经验函数作了进一步的简化,忽略高能尾修正项,仅考虑低能尾修正项,并引入低能尾小高斯修正项的峰位和半高全宽分别与主高斯函数的峰位和半高全宽的相关关系。在γ谱分析软件中仅采用主高斯函数加低能尾小高斯修正项4个参数的经验函数。结果表明,对NaI全身计数器测得的57Co、137Cs、60Co和40K等所有全能峰拟合的解析型改进的优良指数AIFOM均小于0.01%,拟合优度达到优良。

使用 Geant4 模拟 CAPture 电极 CdZnTe 探测器对 γ 射线的响应

采用CAPture电极CdZnTe探测器获取X射线注量谱,为建立ISO 4037-1:1996标准以外的参考辐射和计算辐射场特殊剂量物理量的约定真值提供基础。CdZnTe探测器的主要缺点是由于空穴迁移率寿命积过小,导致电荷收集不完全,全能峰左侧出现低能尾。CAPture电极CdZnTe探测器采用扩展阴极降低阴极附近区域的电场强度,弱化空穴输运对电荷收集效率的影响,实现对低能尾的抑制。但由于探测器内的电场不再均匀,电荷收集效率无法用Hecht方程计算。本文根据Shockley-Ramo原理建立了CAPture电极CdZnTe探测器电荷收集效率计算公式,用有限元分析软件模拟了探测器内的电场分布。进而用Geant4软件开展了蒙特卡罗仿真计算,确定了载流子迁移率寿命积,并取得了与实测结果基本一致的脉冲幅度谱,为建立探测器的响应矩阵奠定了基础。