低能钒离子注入花生种子的深度分布

采用卢瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量 ,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明 ,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构 ,RBS方法不适于测量钒在花生种胚中的深度分布 ,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟 ,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外 ,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。