基于大电流通态压降法的SiC MOSFET模块结温标定方法研究

本文提出了一种应用在大电流通态压降法测量SiC MOSFET模块结温中的低自热标定方法。针对标定过程中的模块电压漂移现象,采用SiC MOSFET模块热-电耦合模型对其温升过程进行仿真并找出导致电压漂移的诱因。为了降低标定短脉冲下的通态压降不稳定和自发热导致的SiC MOSFET模块电压漂移现象,根据热-电耦合模型的仿真结果设计了一种低自热标定方法,并设计实验进行验证。相比于传统的单脉冲标定方法,本文所提出的低自热标定方法自发热最大下降34%,模块自发热导致的结温监测误差由最初的26.9℃降低为7.6℃。