美光推出DDR3低负载双列直插内存模块LRDIMM

美光科技股份有限公司宣布推出DDR3低负载双列直插内存模块（LRDIMM）。新的LRDIMM将采用美光先进的1．35v 2Gb 50nm的DDR3内存芯片制造。由于芯片的高密度和小尺寸，使美光能够轻松并具成本效益地增加服务器模块的容量。

Samsung推出8GBFB—DIMM服务器用存储器

Samsung公司日前推出新的用于服务器的8GB产品的此款存储器连同此前推出的8GB注册双列直插存储器模块（R—DIMM）一起增加了它的全缓冲双列直插存储器模块（FB—DIMM）系列，包括采用80nm2Gb DDR的8GB的高速服务器器件。这种器件代表了在高档服务器存储器架构中重大意义的飞跃。

Samsung推出的8GB FB—DIMM服务器用存储器

三星（Samsung公司日前推出的新的8GB产品可以用于服务器。在十月份推出的8GB注册双列直插存储器模块（R—DIMM），Samsung现在增加它的全缓冲双列直插存储器模块（FB—DIMM），包括采用80nm 2Gb DDR的8GB，用于高速服务器。这种器件代表了在高档服务器存储器架构中重大意义的飞跃。

RDIMM和LRDIMM为企业服务器内存提供更优方案

不断发展的企业级服务器应用受益于带宽和存储器模块容量的提高。寄存器双列直插存储器(RDIMM)和低负载双列直插存储器模块(LRDIMM)为数据中心企业服务器提供更优的解决方案,RDIMM针对需要更高数据带宽的应用,LRDIMM针对需要更深存储器的应用。随着8Gb DRAM的推出,LRDIMM已提供出色的备选解决方案,能同时满足更深存储器和更高数据带宽需求。尤其是基于8Gb DDR4 DRAM的32GB 2RX4 LRDIMM已证明在服务器内存容量和带宽方面全面超越32GB 2RX4 RDIMM。

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...