低通型阻抗匹配网络的计算机辅助设计

本文在推导阻抗匹配网络输入端反射系数极点解析式和分子多项式的基础上，编写了设计任意偶数阶具有Ｂｕｔｅｒｗｏｒｔｈ响应和Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ响应阻抗匹配网络的计算机程序。程序用Ｆｏｒｔｒａｎ语言编写。当输入匹配网络的阶数ｎ＝２ｍ和阻抗变换比ｒ＝Ｒ２／Ｒ１，对Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ响应，通带容许的最大波纹αｄＢ，计算机程序输出匹配带宽和匹配网络归一化元件值。

基于阻容低通反馈的电荷灵敏前置放大器的设计

传统电荷灵敏前置放大器以高阻值电阻作为低频反馈端,高阻值电阻所引入的热噪声为前置放大器噪声的主要来源。本文以N沟道结型场效应晶体管和阻容(Resistor-Capacitance,RC)电路构成低通网络代替传统高阻值反馈电阻完成了新型电荷灵敏前置放大器的研制。该电路以结型场效应晶体管和集成运算放大器构成放大电路,具有高输入阻抗及大开环增益的优点;以小容值电容构成高通回路,为电路提供高频反馈回路,同时实现核脉冲电流的积分;以RC低通网络构成直流反馈回路,为电路提供一个稳定的直流工作点,同时构成电压分压器使N沟道结型场效应管工作在正向偏置状态,实现对反馈电容中的电荷进行连续放电。相比于传统阻容反馈式电荷灵敏放大器,该电路能够有效克服大阻值反馈电阻引入的噪声,尤其适用于Si-PIN等半导体探测器。将该电荷灵敏前置放大器与BPX66型Si-PIN探测器连接,在室温下对241Am源进行测量,其能量分辨率可达到3.03%@59.5 keV。

基于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟

提出了一个用频变负阻作为有源元件实现的无源梯形低通网络结构 ,而频变负阻只需要两个第二代电流传送器和三个无源元件 .

X波段宽带数控移相器180°移相单元的设计

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计出一种应用于X波段宽带数控移相器的180°移相单元。该设计采用SPDT开关和五阶高通-低通滤波拓扑结构,通过改进SPDT开关、提升滤波器的阶数和改变180°移相单元的切换方式改善电路的插入损耗和相位平坦度,消除由前32个相位产生的相位累积误差。仿真结果表明,180°移相单元插入损耗为2.42~2.67 dB,相移范围为179°~182°,输入输出电压驻波比小于1.15,在同样的结构下,本设计可实现更优异的性能和更紧凑的芯片面积。

基于电流反馈放大器的多相位正弦振荡器

提出了一种用电流反馈放大器设计奇数阶多相位正弦振荡器的方法,设计出的振荡器能产生任意奇数阶等幅等相差正弦信号,三相和五相正弦振荡器的仿真结果验证了理论分析的正确性.

集成CMOS限幅放大器的研究

提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中芯国际集成电路公司提供的0.18μm器件模型、共面线的分布参数模型,文中分别研究了共面线的频变分布参数、负载电阻以及n沟道MOSFET的栅宽对放大器增益、带宽的影响,为高速限幅放大器的优化设计提供了理论指导和设计依据.

关于解决中波匹配网络带宽不足在实践中的应用

本文主要介绍双频共塔的匹配网络优化问题。常用匹配网络有Г型低通匹配网络和Г型高通匹配网络,从电路到仿真,从优化电路的实际效果来推导,把解决中波匹配网络带宽不足的问题细化,和常用的Г型匹配网络相比较,优化后的T型匹配网络的传输特性也相对常用的Г型匹配网络衰减要好。特别是在解决匹配网络带宽问题上起到了很好地作用,播出效果明显变好,通过结果来描述。此方法值得推广应用。

0.8~3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型全通网络(APN)拓扑结构。通过在APN两侧增加串联电容,在两级APN之间增加高通网络(HPN)及简化APN结构实现了芯片的高移相精度和小型化。移相器驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明:在0.8~3.2 GHz频率范围内插入损耗小于18 dB,移相态的均方根(RMS)相位误差小于4.5°,移相寄生调幅小于±1 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.7,输出VSWR小于1.9。芯片尺寸为5.0 mm×2.0 mm×0.1 mm。

X波段GaN基小相位移相器设计

基于0.25μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路（MMIC）,两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构。最终芯片面积分别为0.9 mm×1.05 mm和0.95 mm×1.05 mm。芯片测试结果表明,两个小相位移相器性能良好,且测试结果与仿真结果吻合。在8~12 GHz频带内,11.25°和22.5°移相器电路的相移精度小于2.8°,输入回波损耗分别优于-15和-12 dB,插入损耗值分别小于1和1.5 dB,幅度波动分别小于0.8和1.3 dB。两个移相器电路的1 dB压缩点输入功率均大于36 dBm,其功率容限优于GaAs HEMT设计的移相器。结果表明,所设计的移相器具有优异的相移精度以及良好的功率性能,可广泛应用于高精度和大功率的雷达系统中。