一种新型低阳极发射效率快恢复二极管

采用局域注入p型离子和高温推结的方式得到高掺杂p^+区和低掺杂p^-区规律性的浓度梯度变化,研制了新型低阳极发射效率二极管。与常规结构二极管相比,此结构在工艺实现时,制造工艺条件、掩模版数量保持不变,只需设计高掺杂p^+区和低掺杂p^-区层次掩模版图案,即可实现发射极注入效率的自调节,制造成本低;其反向恢复电荷减小了30.4%,反向电流峰值减小了29%,反向电压峰值减小了6.7%,反向恢复时间减小了11%,开关器件的工作损耗降低,折衷性能更加优良;在V_F基本相当的情况下,反向恢复软度特性更优。

快恢复二极管正向浪涌电流特性研究

首先介绍电网中所用的快恢复二极管正向浪涌电流测试原理及方法,试验研究器件有源区结构、阳极区杂质补偿及载流子寿命控制方式对正向浪涌电流的影响。测试结果表明采用低阳极发射效率有源区结构的器件所能够承受的正向浪涌电流等级低于常规有源区结构器件;提高阳极区杂质补偿注入剂量能够提高二极管正向浪涌电流;与全局寿命控制方式相比,采用局域寿命控制方式制备的二极管具有更强的抗正向浪涌电流的能力。